Справочник MOSFET. NVMFS5C404NL

 

NVMFS5C404NL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVMFS5C404NL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 49 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 135 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4538 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00075 Ohm
   Тип корпуса: DFN5
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NVMFS5C404NL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:75K  onsemi
nvmfs5c404nl.pdfpdf_icon

NVMFS5C404NL

NVMFS5C404NLPower MOSFET40 V, 0.75 mW, 352 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseshttp://onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFS5C404NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced OpticalInspectionV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable0.7

 3.1. Size:70K  onsemi
nvmfs5c404n.pdfpdf_icon

NVMFS5C404NL

NVMFS5C404NPower MOSFET40 V, 0.7 mW, 378 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFS5C404NWF - Wettable Flank Option for Enhanced OpticalInspectionV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable40 V 0.7

 5.1. Size:191K  onsemi
nvmfs5c406nl.pdfpdf_icon

NVMFS5C404NL

NVMFS5C406NLMOSFET Power, SingleN-Channel40 V, 0.7 mW, 362 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFS5C406NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical0.7 mW @ 10 VInspection40 V 362 A AEC-Q101 Qua

 5.2. Size:177K  onsemi
nvmfs5c406n.pdfpdf_icon

NVMFS5C404NL

MOSFET - Power, SingleN-Channel40 V, 0.8 mW, 353 ANVMFS5C406NFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFS5C406NWF - Wettable Flank Option for Enhanced OpticalV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXInspection40 V 0.8 mW @ 10 V 353 A AEC-Q101 Qualifie

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SE4060 | ZXMN0545G4 | IPA600N25NM3S

 

 
Back to Top

 


 
.