Справочник MOSFET. NX3020NAK

 

NX3020NAK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NX3020NAK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2.6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-236AB
 

 Аналог (замена) для NX3020NAK

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NX3020NAK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:249K  nxp
nx3020nak.pdfpdf_icon

NX3020NAK

NX3020NAK30 V, single N-channel Trench MOSFET29 October 2013 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technology ESD protection Low threshold volt

 0.1. Size:712K  nxp
nx3020nakw.pdfpdf_icon

NX3020NAK

NX3020NAKW30 V, 180 mA N-channel Trench MOSFET29 October 2013 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT323 (SC-70)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technology ESD protection Low threshold voltag

 0.2. Size:702K  nxp
nx3020nakv.pdfpdf_icon

NX3020NAK

NX3020NAKV30 V, 200 mA dual N-channel Trench MOSFET29 October 2013 Product data sheet1. General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a ultra small and flatlead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technology ESD protection

 0.3. Size:715K  nxp
nx3020naks.pdfpdf_icon

NX3020NAK

NX3020NAKS30 V, 180 mA dual N-channel Trench MOSFET11 November 2013 Product data sheet1. General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363(SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technology ESD protection Low

Другие MOSFET... NVTJD4001N , NVTR01P02L , NVTR0202PL , NVTR4502P , NVTR4503N , NX1029X , NX2020N2 , NX2020P1 , IRF730 , NX7002AK , NX7002AKS , NX7002AKW , NX7002BK , NX7002BKM , NX7002BKMB , NX7002BKS , NX7002BKW .

History: ME90N03-G | TPCF8004 | TK16V60W5 | CSD86330Q3D | 50N06G | IRF2903ZLPBF | HAT2282C

 

 
Back to Top

 


 
.