OM6104ST MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: OM6104ST
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
Тип корпуса: TO-257AA
OM6104ST Datasheet (PDF)
om6101st om6104st.pdf
OM6001ST OM6003ST OM6101ST OM6103STOM6002ST OM6004ST OM6102ST OM6104STPOWER MOSFET IN HERMETIC ISOLATEDJEDEC TO-257AA PACKAGE100V Thru 500V, Up To 14 Amp, N-ChannelMOSFET With Or Without Zener GateClamp ProtectionFEATURES Isolated Hermetic Metal Package Bi-Lateral Zener Gate Protection (Optional) Fast Switching, Low Drive Current Ease Of Paralleling For Added P
om6005sc om6105sc om6106sc.pdf
OM6005SC OM6007SC OM6105SC OM6107SCOM6006SC OM6008SC OM6106SC OM6108SCPOWER MOSFET IN HERMETIC ISOLATEDJEDEC TO-258AA PACKAGE100V Thru 500V, Up To 35 Amp, N-ChannelMOSFET With Or Without Zener GateClamp ProtectionFEATURES Isolated Hermetic Metal Package Bi-Lateral Zener Gate Protection (Optional) Fast Switching, Low Drive Current Ease Of Paralleling For Added P
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918