PH1730AL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PH1730AL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 109 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.15 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 100 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 77.9 nC
Время нарастания (tr): 72 ns
Выходная емкость (Cd): 1082 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0017 Ohm
Тип корпуса: LFPAK
PH1730AL Datasheet (PDF)
1.1. ph1730al.pdf 
Size:240K _update_mosfet
PH1730AL N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 03 — 12 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications. 1.2 Features and benefits High efficiency due
1.2. ph1730al.pdf Size:240K _philips
PH1730AL N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 03 12 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications. 1.2 Features and benefits High efficiency due to l
Другие MOSFET... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .
