PHP11N50E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHP11N50E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: SOT78

Аналог (замена) для PHP11N50E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP11N50E даташит

 ..1. Size:35K  philips
php11n50e phb11n50e phw11n50e.pdfpdf_icon

PHP11N50E

Philips Semiconductors Preliminary specification PowerMOS transistors PHP11N50E, PHB11N50E, PHW11N50E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 10.4 A g Low thermal resistance RDS(ON) 0.6 s GENERAL DESCRIPTI

 8.1. Size:114K  philips
phb11n06lt phd11n06lt php11n06lt 3.pdfpdf_icon

PHP11N50E

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP11N06LT, PHB11N06LT Logic level FET PHD11N06LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 55 V Low on-state resistance Fast switching ID = 10.5 A Logic level compatible RDS(ON) 150 m (VGS = 5 V) g RDS(ON) 130 m (VGS = 10 V) s GENERAL DESCRIPT

 9.1. Size:89K  philips
php110nq08t phb110nq08t.pdfpdf_icon

PHP11N50E

PHP/PHB110NQ08T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 01 29 March 2004 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Standard level threshold Very low on-state resistance. 1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies D

 9.2. Size:92K  philips
phb119nq06t php119nq06t.pdfpdf_icon

PHP11N50E

PHP/PHB119NQ06T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 01 05 May 2004 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Standard level threshold Very low on-state resistance. 1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies DC-to-DC

Другие IGBT... PHD3N40E, PHD45N03LT, PHD50N03LT, PHD55N03LT, PHD69N03LT, PHD6N10E, PHP10N10E, PHP10N60E, 2SK3568, PHP125N06LT, PHP12N10E, PHP130N03LT, PHP18N20E, PHP21N06LT, PHP2N50E, PHP2N60E, PHP3055E