PH5525L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PH5525L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 81.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 55 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
Тип корпуса: LFPAK
PH5525L Datasheet (PDF)
ph5525l.pdf
PH5525LN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 5 December 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Lead-free package Optimized for use in DC-to-DC Very low switching and conductionconverters losse
cph5520.pdf
Ordering number : ENA0485 CPH5520SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP / NPN Epitaxial Planar Silicon TransistorsCPH5520High-Current Switching ApplicationsApplications Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, gate drivers.Features Composite type with a PNP transistor and an NPN transistor contained in one package, facilitating high-densitymounting. Ultrasmall packa
cph5524.pdf
Ordering number : ENA0859 CPH5524SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP / NPN Epitaxial Planar Silicon TransistorsCPH5524High-Current Switching ApplicationsApplications Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, IGBT gate drivers.Features Composite type with a PNP transistor and an NPN transistor contained in one package, facilitating high-densitymounting. Ultrasmall
cph5524.pdf
Ordering number : ENA0859ACPH5524Bipolar Transistorhttp://onsemi.com() () ( )50V, 6A, Low VCE sat Complementary Dual CPH5Applications Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, IGBT gate driversFeatures Composite type with a PNP transistor and an NPN transistor contained in one package, facilitating high-densitymounting Ultrasmall package facilitate miniat
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918