PH9030AL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PH9030AL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 227 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: LFPAK

Аналог (замена) для PH9030AL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PH9030AL даташит

 ..1. Size:163K  philips
 ph9030al.pdf pdf_icon

PH9030AL

PH9030AL N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 07 14 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications. 1.2 Features and benefits High efficiency due

 ..2. Size:163K  nxp
 ph9030al.pdf pdf_icon

PH9030AL

PH9030AL N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 07 14 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications. 1.2 Features and benefits High efficiency due

 8.1. Size:155K  philips
 ph9030l.pdf pdf_icon

PH9030AL

PH9030L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 29 July 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features and b

 8.2. Size:155K  nxp
 ph9030l.pdf pdf_icon

PH9030AL

PH9030L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 29 July 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features and b

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PH6030AL, PH6030L, PH6325L, PH7030AL, PH7030L, PH8030L, PH8230E, PH9025L, IRF1010E, PH9030L, PH955L, PH9930L, PHK4NQ10T, PHK4NQ20T, PHM12NQ20T, PHM15NQ20T, PHM18NQ15T