PHP18N20E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHP18N20E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: SOT78

Аналог (замена) для PHP18N20E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP18N20E даташит

 ..1. Size:53K  philips
 php18n20e 1.pdf pdf_icon

PHP18N20E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHP18N20E GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope featuring high VDS Drain-source voltage 200 V avalanche energy capability, stable ID Drain current (DC) 18 A blocking voltage, fast switching and Ptot Total power dis

 8.1. Size:121K  philips
 phb18nq10t phd18nq10t php18nq10t phd18nq10t.pdf pdf_icon

PHP18N20E

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP18NQ10T, PHB18NQ10T PHD18NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 18 A g RDS(ON) 90 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a

 8.2. Size:205K  philips
 php18nq11t.pdf pdf_icon

PHP18N20E

PHP18NQ11T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 02 10 March 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Feat

 8.3. Size:98K  philips
 phb18nq20t php18nq20t 1.pdf pdf_icon

PHP18N20E

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP18NQ20T, PHB18NQ20T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 200 V Fast switching Low thermal resistance ID = 16 A g RDS(ON) 180 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel, enhancement mode field-effect power transistor using Trench te

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PHD69N03LT, PHD6N10E, PHP10N10E, PHP10N60E, PHP11N50E, PHP125N06LT, PHP12N10E, PHP130N03LT, SI2302, PHP21N06LT, PHP2N50E, PHP2N60E, PHP3055E, PHP3055L, PHP33N10, PHP37N06LT, PHP3N40E