QH8KA2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: QH8KA2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: TSMT8
Аналог (замена) для QH8KA2
QH8KA2 Datasheet (PDF)
qh8ka2.pdf

QH8KA2Datasheet30V Nch+Nch Power MOSFETlOutlinel TSMT8VDSS30VRDS(on)(Max.) 35m ID 4.5A PD1.5W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package (TSMT8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackag
qh8ka1.pdf

QH8KA1Datasheet30V Nch+Nch Power MOSFETlOutlinel TSMT8VDSS 30VRDS(on)(Max.) 73m ID 4.5A PD 2.4W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package (TSMT8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackagin
Другие MOSFET... PHM25NQ10T , PHM30NQ10T , PHT2NQ10T , PI5101-00-LGIZ , PJ2301 , PJ2306 , PJ4N3KDW , QH8KA1 , IRF2807 , QH8MA2 , QH8MA3 , QH8MA4 , QJD1210006 , QJD1210007 , QJD1210010 , QJD1210011 , QM0004D .
History: STB140NF75T4 | IRF7606PBF | IXFN80N50P
History: STB140NF75T4 | IRF7606PBF | IXFN80N50P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet