QH8KA2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: QH8KA2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: TSMT8
Аналог (замена) для QH8KA2
QH8KA2 Datasheet (PDF)
qh8ka2.pdf
QH8KA2Datasheet30V Nch+Nch Power MOSFETlOutlinel TSMT8VDSS30VRDS(on)(Max.) 35m ID 4.5A PD1.5W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package (TSMT8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackag
qh8ka1.pdf
QH8KA1Datasheet30V Nch+Nch Power MOSFETlOutlinel TSMT8VDSS 30VRDS(on)(Max.) 73m ID 4.5A PD 2.4W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package (TSMT8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackagin
Другие MOSFET... PHM25NQ10T , PHM30NQ10T , PHT2NQ10T , PI5101-00-LGIZ , PJ2301 , PJ2306 , PJ4N3KDW , QH8KA1 , RFP50N06 , QH8MA2 , QH8MA3 , QH8MA4 , QJD1210006 , QJD1210007 , QJD1210010 , QJD1210011 , QM0004D .
History: SSR1N60B | JCS8N65V | SFP9510 | FRL9230H | HY3008PL | IRFB4137PBF
History: SSR1N60B | JCS8N65V | SFP9510 | FRL9230H | HY3008PL | IRFB4137PBF
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM425MC | AGM425MA | AGM425M | AGM420MD | AGM420MC | AGM420MBA | AGM420MAP | AGM420MA | AGM418MBP | AGM418M | AGM414MBP | AGM412S | AGM412MPA | AGM412MAP | AGM412D | AGM608C
Popular searches
2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet



