QH8KA2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: QH8KA2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: TSMT8

Аналог (замена) для QH8KA2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QH8KA2 даташит

 ..1. Size:2492K  rohm
 qh8ka2.pdf pdf_icon

QH8KA2

QH8KA2 Datasheet 30V Nch+Nch Power MOSFET lOutline l TSMT8 VDSS 30V RDS(on)(Max.) 35m ID 4.5A PD 1.5W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package (TSMT8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lPackag

 9.1. Size:2924K  rohm
 qh8ka1.pdf pdf_icon

QH8KA2

QH8KA1 Datasheet 30V Nch+Nch Power MOSFET lOutline l TSMT8 VDSS 30V RDS(on)(Max.) 73m ID 4.5A PD 2.4W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package (TSMT8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lPackagin

Другие IGBT... PHM25NQ10T, PHM30NQ10T, PHT2NQ10T, PI5101-00-LGIZ, PJ2301, PJ2306, PJ4N3KDW, QH8KA1, RFP50N06, QH8MA2, QH8MA3, QH8MA4, QJD1210006, QJD1210007, QJD1210010, QJD1210011, QM0004D