Справочник MOSFET. PHP3055E

 

PHP3055E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHP3055E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: SOT78
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP3055E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  philips
phd3055e php3055e 4.pdfpdf_icon

PHP3055E

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP3055E, PHD3055EFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 55 V Fast switchingID = 10.3 AgRDS(ON) 150 m (VGS = 10 V)sGENERAL DESCRIPTIONN-channel enhancement mode, field-effect power transistor in a plastic envelope using tr

 ..2. Size:317K  philips
php3055e phd3055e.pdfpdf_icon

PHP3055E

PHP/PHD3055ETrenchMOS standard level FETRev. 06 25 March 2002 Product data1. DescriptionN-channel standard level field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:PHP3055E in SOT78 (TO-220AB)PHD3055E in SOT428 (D-PAK).2. Features Fast switching Low on-state resistance.3. Applications DC to DC converters Switc

 ..3. Size:52K  philips
php3055e 1.pdfpdf_icon

PHP3055E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHP3055E GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope featuring high VDS Drain-source voltage 60 Vavalanche energy capability, stable ID Drain current (DC) 12 Ablocking voltage, fast switching and Ptot Total power dissi

 ..4. Size:75K  philips
phb3055e phd3055e php3055e 3.pdfpdf_icon

PHP3055E

Philips Semiconductors Preliminary specification TrenchMOS transistor PHP3055E, PHB3055E, PHD3055EFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Very low on-state resistance VDSS = 55 V Fast switching High thermal cycling performance ID = 10.5 A Low thermal resistancegRDS(ON) 150 m (VGS = 10 V)sGENERAL DESCRIPTIONN-channel enhance

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: WMO15N15T1 | IRC8405 | BUZ905DP | 7N65KG-T2Q-T | 2SK56 | SQJ460AEP | IRF6217

 

 
Back to Top

 


 
.