QM2416K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: QM2416K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для QM2416K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QM2416K даташит

 ..1. Size:314K  ubiq
 qm2416k.pdf pdf_icon

QM2416K

QM2416K N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM2416K is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 20V 48m 3.5A for most of the small power switching and load switch applications. Applications The QM2416K meet the RoHS and Green Product requir

 ..2. Size:877K  cn vbsemi
 qm2416k.pdf pdf_icon

QM2416K

QM2416K www.VBsemi.tw N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)e Qg (Typ.) Definition 0.028 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET 6a 100 % Rg Tested 20 0.042 at VGS = 2.5 V 6a 8.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.050 at VGS = 1.8 V 5.6 APPLICATIONS DC/DC Conver

 8.1. Size:357K  ubiq
 qm2416c1.pdf pdf_icon

QM2416K

QM2416C1 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM2416C1 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 20V 65m 1.8A for most of the small power switching and load switch applications. Applications The QM2416C1 meet the RoHS and Green Product req

 8.2. Size:348K  ubiq
 qm2416y1.pdf pdf_icon

QM2416K

QM2416Y1 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM2416Y1 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 20V 65m 1.8A for most of the small power switching and load switch applications. Applications The QM2416Y1 meet the RoHS and Green Product req

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... QM2413V, QM2414K, QM2414V, QM2415K, QM2415SM8, QM2415SN8, QM2416C1, QM2416J, 2SK3568, QM2416Y1, QM2417C1, QM2417Y1, QM2418C1, QM2418Y1, QM2419K, QM2420K, QM2421K