QM2606C1. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: QM2606C1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.33 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.52 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 26.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
Тип корпуса: SOT-363
Аналог (замена) для QM2606C1
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
QM2606C1 даташит
qm2606c1.pdf
QM2606C1 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM2606C1 is the highest performance trench N-ch and P-ch MOSFETs with extreme high cell BVDSS RDSON ID density , which provide excellent RDSON and gate 20V 90m 1.52A charge for most of the small power switching and -20V 240m -1A load switch applications. The QM2606C1 meet the RoHS and G
qm2605s.pdf
QM2605S N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM2605S is the highest performance trench N-ch and P-ch MOSFETs with extreme high cell BVDSS RDSON ID density , which provide excellent RDSON and gate 20V 42m 4.6A charge for most of the small power switching and -20V 130m -2.8A load switch applications. The QM2605S meet the RoHS and Gr
qm2605v.pdf
QM2605V N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM2605V is the highest performance trench N-ch and P-ch MOSFETs with extreme high cell BVDSS RDSON ID density , which provide excellent RDSON and gate 20V 48m 3.8A charge for most of the small power switching and -20V 130m -2.5A load switch applications. The QM2605V meet the RoHS and Gr
qm2601s.pdf
QM2601S N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM2601S is the highest performance trench N-ch and P-ch MOSFETs with extreme high cell BVDSS RDSON ID density , which provide excellent RDSON and gate 20V 18m 7.2A charge for most of the small power switching and -20V 50m -4.5A load switch applications. The QM2601S meet the RoHS and Gree
Другие IGBT... QM2517C1, QM2518C1, QM2520C1, QM2601S, QM2602S, QM2604V, QM2605S, QM2605V, K2611, QM2607C1, QM2608N8, QM2702D, QM2710D, QM2N7002E3K1, QM3001D, QM3001G, QM3001J
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent








