QM2606C1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: QM2606C1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.52 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для QM2606C1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QM2606C1 даташит

 ..1. Size:392K  ubiq
qm2606c1.pdfpdf_icon

QM2606C1

QM2606C1 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM2606C1 is the highest performance trench N-ch and P-ch MOSFETs with extreme high cell BVDSS RDSON ID density , which provide excellent RDSON and gate 20V 90m 1.52A charge for most of the small power switching and -20V 240m -1A load switch applications. The QM2606C1 meet the RoHS and G

 9.1. Size:417K  ubiq
qm2605s.pdfpdf_icon

QM2606C1

QM2605S N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM2605S is the highest performance trench N-ch and P-ch MOSFETs with extreme high cell BVDSS RDSON ID density , which provide excellent RDSON and gate 20V 42m 4.6A charge for most of the small power switching and -20V 130m -2.8A load switch applications. The QM2605S meet the RoHS and Gr

 9.2. Size:412K  ubiq
qm2605v.pdfpdf_icon

QM2606C1

QM2605V N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM2605V is the highest performance trench N-ch and P-ch MOSFETs with extreme high cell BVDSS RDSON ID density , which provide excellent RDSON and gate 20V 48m 3.8A charge for most of the small power switching and -20V 130m -2.5A load switch applications. The QM2605V meet the RoHS and Gr

 9.3. Size:409K  ubiq
qm2601s.pdfpdf_icon

QM2606C1

QM2601S N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM2601S is the highest performance trench N-ch and P-ch MOSFETs with extreme high cell BVDSS RDSON ID density , which provide excellent RDSON and gate 20V 18m 7.2A charge for most of the small power switching and -20V 50m -4.5A load switch applications. The QM2601S meet the RoHS and Gree

Другие IGBT... QM2517C1, QM2518C1, QM2520C1, QM2601S, QM2602S, QM2604V, QM2605S, QM2605V, K2611, QM2607C1, QM2608N8, QM2702D, QM2710D, QM2N7002E3K1, QM3001D, QM3001G, QM3001J