QM2607C1 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: QM2607C1 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.33 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 43.6 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
Тип корпуса: SOT-363
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для QM2607C1
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
QM2607C1 даташит
qm2607c1.pdf
QM2607C1 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM2607C1 is the highest performance trench N-ch and P-ch MOSFETs with extreme high cell BVDSS RDSON ID density , which provide excellent RDSON and gate 20V 115m 1.3 A charge for most of the small power switching and -20V 255m -0.94 A load switch applications. The QM2607C1 meet the RoHS
qm2605s.pdf
QM2605S N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM2605S is the highest performance trench N-ch and P-ch MOSFETs with extreme high cell BVDSS RDSON ID density , which provide excellent RDSON and gate 20V 42m 4.6A charge for most of the small power switching and -20V 130m -2.8A load switch applications. The QM2605S meet the RoHS and Gr
qm2605v.pdf
QM2605V N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM2605V is the highest performance trench N-ch and P-ch MOSFETs with extreme high cell BVDSS RDSON ID density , which provide excellent RDSON and gate 20V 48m 3.8A charge for most of the small power switching and -20V 130m -2.5A load switch applications. The QM2605V meet the RoHS and Gr
qm2601s.pdf
QM2601S N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM2601S is the highest performance trench N-ch and P-ch MOSFETs with extreme high cell BVDSS RDSON ID density , which provide excellent RDSON and gate 20V 18m 7.2A charge for most of the small power switching and -20V 50m -4.5A load switch applications. The QM2601S meet the RoHS and Gree
Другие IGBT... QM2518C1, QM2520C1, QM2601S, QM2602S, QM2604V, QM2605S, QM2605V, QM2606C1, AO4407, QM2608N8, QM2702D, QM2710D, QM2N7002E3K1, QM3001D, QM3001G, QM3001J, QM3001S
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: JMH65R430AK | AGM15T13F | NCE4435X | JMSL0615AGDQ | APG60N10S | IRFP2907PBF | IRFP4110PBF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout








