Справочник MOSFET. QM3016M3

 

QM3016M3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: QM3016M3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: PRPAK3X3
 

 Аналог (замена) для QM3016M3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QM3016M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:308K  ubiq
qm3016m3.pdfpdf_icon

QM3016M3

QM3016M3/N3 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM3016M3/N3 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell BVDSS RDSON ID density , which provide excellent RDSON and 30V 4m 80Agate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM3016M3/N3 meet the RoHS and Green High Frequency

 7.1. Size:305K  ubiq
qm3016m6.pdfpdf_icon

QM3016M3

QM3016M6 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM3016M6 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 30V 4m 108Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM3016M6 meet the RoHS and Green Product requirement 1

 7.2. Size:941K  cn vbsemi
qm3016m6.pdfpdf_icon

QM3016M3

QM3016M6www.VBsemi.twN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0018 at VGS = 10 V 100APPLICATIONS30 82 nC0.0025 at VGS = 4.5 V 90 OR-ing ServerDDFN5X6Top ViewTop View Bottom View182736 G45PIN1SN-Channel MOSFETABSOLUTE MAX

 8.1. Size:345K  ubiq
qm3016am6.pdfpdf_icon

QM3016M3

QM3016AM6 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM3016AM6 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell BVDSS RDSON ID density , which provide excellent RDSON and gate 30V 4m 108Acharge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM3016AM6 meet the RoHS and Green Product requiremen

Другие MOSFET... QM3014N3 , QM3014P , QM3014S , QM3015D , QM3015S , QM3016AD , QM3016AM6 , QM3016D , IRFB31N20D , QM3016M6 , QM3016N3 , QM3016P , QM3016S , QM3016U , QM3018D , QM3018M6 , QM3018P .

History: DH300N08 | 5HB03N8 | UF3710 | FDG313ND87Z | 2SJ297L | SM2014NSKP | QS5U16

 

 
Back to Top

 


 
.