QS5U16 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: QS5U16

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TSMT5

Аналог (замена) для QS5U16

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QS5U16 даташит

 ..1. Size:69K  rohm
 qs5u16.pdf pdf_icon

QS5U16

QS5U16 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOS FET QS5U16 External dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TSMT5 Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.7 0.95 0.95 (5) (4) Features 1) The QS5U16 combines Nch MOSFET with a 0 0.1 (1) (2) (3) Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. 0.4 0.16 2) Low on-state resistance with fast switc

 9.1. Size:69K  rohm
 qs5u17.pdf pdf_icon

QS5U16

QS5U17 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOS FET QS5U17 External dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TSMT5 Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.7 0.95 0.95 (5) (4) Features 1) The QS5U17 combines Nch MOSFET with a 0 0.1 (1) (2) (3) Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. 0.4 0.16 2) Low on-state resistance with fast switc

 9.2. Size:69K  rohm
 qs5u13.pdf pdf_icon

QS5U16

QS5U13 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOS FET QS5U13 External dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TSMT5 Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.7 0.95 0.95 (5) (4) Features 1) The QS5U13 combines Nch MOSFET with a 0 0.1 (1) (2) (3) Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. 0.4 0.16 2) Low on-state resistance with fast switc

 9.3. Size:69K  rohm
 qs5u12.pdf pdf_icon

QS5U16

QS5U12 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOS FET QS5U12 External dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TSMT5 Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.7 0.95 0.95 (5) (4) Features 1) The QS5U12 combines Nch MOSFET with a 0 0.1 (1) (2) (3) Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. 0.4 0.16 2) Low on-state resistance with fast switc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... QM7020P, QM8014D, QM8014U, QM8205V, QN7002, QS5K2, QS5U12, QS5U13, IRFB31N20D, QS5U17, QS5U21, QS5U23, QS5U26, QS5U27, QS5U33, QS5U34, QS5U36