RFH35N08 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: RFH35N08
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 225 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
Тип корпуса: TO-218AC
Аналог (замена) для RFH35N08
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
RFH35N08 даташит
Другие IGBT... QS8K21, QS8M11, QS8M13, QS8M51, RFH25N18, RFH25N20, RFH25P08, RFH25P10, IRFB4110, RFH35N10, RFH45N05, RFH45N06, RFK25P08, RFK25P10, RFK35N08, RFK35N10, RFM10N12
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM40N60KQ | ASDM40N40E | ASDM40N100P | ASDM40DN20E | ASDM3416EZA | ASDM3415ZA | ASDM3401ZA | ASDM3401 | ASDM3400ZA | ASDM30P30BE | RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ
Popular searches
sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet | 2n270 | 2n2924 | mpsa65 | 2sa794 | 2sa816

