RFK25P08 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RFK25P08

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 165 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: TO-204AE

Аналог (замена) для RFK25P08

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFK25P08 даташит

 ..1. Size:86K  njs
 rfh25p08 rfh25p10 rfk25p08 rfk25p10.pdf pdf_icon

RFK25P08

Другие IGBT... RFH25N18, RFH25N20, RFH25P08, RFH25P10, RFH35N08, RFH35N10, RFH45N05, RFH45N06, IRFB4227, RFK25P10, RFK35N08, RFK35N10, RFM10N12, RFM10N15, RFM12N08, RFM12N08L, RFM12N10