RFP5P12 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RFP5P12

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для RFP5P12

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFP5P12 даташит

 ..1. Size:83K  njs
 rfm5p12 rfm5p15 rfp5p12 rfp5p15.pdf pdf_icon

RFP5P12

Другие IGBT... RFP12N08L, RFP12N10, RFP12N18, RFP12N20, RFP15N12, RFP15N15, RFP2N08, RFP2N10, NCEP15T14, RFP5P15, RFP8P08, RHK003N06FRA, RHK003N06T146, RHK005N03FRA, RHK005N03T146, RHP020N06T100, RHP030N03T100