RHK003N06FRA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RHK003N06FRA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: SMT3

Аналог (замена) для RHK003N06FRA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RHK003N06FRA даташит

 ..1. Size:913K  rohm
 rhk003n06fra.pdf pdf_icon

RHK003N06FRA

RHK003N06FRA RHK003N06 Transistors AEC-Q101 Qualified 4V Drive Nch MOS FET RHK003N06FRA RHK003N06 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET SMT3 2.9 1.1 0.4 0.8 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) 4V drive. (2) (1) 0.95 0.95 0.15 1.9 (1)Source Applications Each lead has same dimensions (2)Gate Switching (3)Drain Abbreviated symbol

 5.1. Size:52K  rohm
 rhk003n06t146.pdf pdf_icon

RHK003N06FRA

RHK003N06 Transistors 4V Drive Nch MOS FET RHK003N06 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET SMT3 2.9 1.1 0.4 0.8 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) 4V drive. (2) (1) 0.95 0.95 0.15 1.9 (1)Source Applications Each lead has same dimensions (2)Gate Switching (3)Drain Abbreviated symbol RKS Packaging specifications and hFE Inn

 5.2. Size:889K  cn vbsemi
 rhk003n06t146.pdf pdf_icon

RHK003N06FRA

RHK003N06T146 www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (mA) Definition 2.8 at VGS = 10 V 60 250 Low Threshold 2 V (typ.) Low Input Capacitance 25 pF Fast Switching Speed 25 ns Low Input and Output Leakage SOT-23 TrenchFET Power MOSFET 1200V ESD Protection

 9.1. Size:51K  rohm
 rhk005n03t146.pdf pdf_icon

RHK003N06FRA

RHK005N03 Transistors 4V Drive Nch MOS FET RHK005N03 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET SMT3 2.9 1.1 0.4 0.8 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) High speed switching. (2) (1) 0.95 0.95 0.15 1.9 (1)Source Applications Each lead has same dimensions (2)Gate Switching (3)Drain Abbreviated symbol KU Packaging specifications

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RFP12N20, RFP15N12, RFP15N15, RFP2N08, RFP2N10, RFP5P12, RFP5P15, RFP8P08, IRFP450, RHK003N06T146, RHK005N03FRA, RHK005N03T146, RHP020N06T100, RHP030N03T100, RHU002N06, RHU002N06FRA, RHU003N03