RJK0329DPB-01. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RJK0329DPB-01

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 980 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm

Тип корпуса: LFPAK

Аналог (замена) для RJK0329DPB-01

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJK0329DPB-01 даташит

 ..1. Size:81K  renesas
 rjk0329dpb-01.pdf pdf_icon

RJK0329DPB-01

Preliminary Datasheet RJK0329DPB-01 R07DS0265EJ0500 (Previous REJ03G1638-0400) Silicon N Channel Power MOS FET Rev.5.00 Power Switching Mar 01, 2011 Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 1.8 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline R

 2.1. Size:124K  renesas
 rjk0329dpb-00.pdf pdf_icon

RJK0329DPB-01

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 4.1. Size:84K  renesas
 r07ds0265ej rjk0329dpb.pdf pdf_icon

RJK0329DPB-01

Preliminary Datasheet RJK0329DPB-01 R07DS0265EJ0500 (Previous REJ03G1638-0400) Silicon N Channel Power MOS FET Rev.5.00 Power Switching Mar 01, 2011 Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 1.8 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline R

 8.1. Size:113K  renesas
 rjk0323jpd.pdf pdf_icon

RJK0329DPB-01

Preliminary Datasheet RJK0323JPD R07DS0334EJ0100 Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00 High Speed Power Switching Apr 18, 2011 Features For Automotive application AEC-Q101 compliant Low on-resistance RDS(on) = 7.0 m typ. Low drive current Capable of 4.5 V gate drive Outline RENESAS Package code PRSS0004ZD-C (Package name DPAK (S)) 2, 4 4 D 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RHU003N03, RHU003N03FRA, RJJ0601JPE, RJJ0601JPN, RJK005N03FRA, RJK005N03T146, RJK0323JPD, RJK0329DPB-00, IRF2807, RJK0331DPB-00, RJK0331DPB-01, RJK0369DSP, RJK0371DSP, RJK03M1DPA, RJK03M2DPA, RJK03M3DPA, RJK03M4DPA