RJK03M2DPA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RJK03M2DPA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 435 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm

Тип корпуса: WPAK

Аналог (замена) для RJK03M2DPA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJK03M2DPA даташит

 ..1. Size:151K  renesas
 rjk03m2dpa.pdf pdf_icon

RJK03M2DPA

Preliminary Datasheet RJK03M2DPA 30V, 45A, 2.8m max. R07DS0766EJ0200 N Channel Power MOS FET Rev.2.00 High Speed Power Switching Feb 12, 2013 Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code PWSN0008DE-A (Package nam

 8.1. Size:181K  renesas
 rjk03m3dpa.pdf pdf_icon

RJK03M2DPA

Preliminary Datasheet RJK03M3DPA 30V, 40A, 3.9m max. R07DS0767EJ0200 N Channel Power MOS FET Rev.2.00 High Speed Power Switching Feb 12, 2013 Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code PWSN0008DE-A (Package nam

 8.2. Size:125K  renesas
 rjk03m5dns.pdf pdf_icon

RJK03M2DPA

Preliminary Datasheet RJK03M5DNS R07DS0769EJ0110 Silicon N Channel Power MOS FET Rev.1.10 Power Switching May 29, 2012 Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 5.2 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code PWSN0008JB-

 8.3. Size:148K  renesas
 rjk03m4dpa.pdf pdf_icon

RJK03M2DPA

Preliminary Datasheet RJK03M4DPA 30V, 35A, 4.6m max. R07DS0768EJ0200 N Channel Power MOS FET Rev.2.00 High Speed Power Switching Feb 12, 2013 Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code PWSN0008DE-A (Package nam

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJK0323JPD, RJK0329DPB-00, RJK0329DPB-01, RJK0331DPB-00, RJK0331DPB-01, RJK0369DSP, RJK0371DSP, RJK03M1DPA, 75N75, RJK03M3DPA, RJK03M4DPA, RJK03M5DNS, RJK03M5DPA, RJK0406JPE, RJK0601DPN-E0, RJK0602DPN-E0, RJK0603DPN-E0