Справочник MOSFET. RJK0630JPE

 

RJK0630JPE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RJK0630JPE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: LDPAK
 

 Аналог (замена) для RJK0630JPE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJK0630JPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:112K  renesas
rjk0630jpe.pdfpdf_icon

RJK0630JPE

Preliminary Datasheet RJK0630JPE R07DS0340EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00High Speed Power Switching Apr 18, 2011Features For Automotive application AEC-Q101 compliant Low on-resistance : RDS(on) = 6.2 m typ. Capable of 4.5 V gate drive Low input capacitance : Ciss = 2100 pF typ. Outline RENESAS Package code: PRSS0004AE-B(Package name

 8.1. Size:90K  renesas
rjk0631jpd.pdfpdf_icon

RJK0630JPE

Preliminary Datasheet RJK0631JPD R07DS0252EJ0300Silicon N Channel Power MOS FET Rev.3.00High Speed Power Switching Jul 24, 2013Features For Automotive application Low on-resistance : RDS(on) = 12 m typ. Capable of 4.5 V gate drive Low input capacitance: Ciss = 1350 pF typ AEC-Q101 compliant Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZD-C(Package n

 8.2. Size:90K  renesas
rjk0631jpr.pdfpdf_icon

RJK0630JPE

Preliminary Datasheet RJK0631JPR R07DS0879EJ030060 V - 30 A - N Channel Power MOS FET Rev.3.00Jul 24, 2013High Speed Power Switching Features For Automotive application AEC-Q101 compliant Low on-resistance : RDS(on) = 12 m typ. Capable of 4.5 V gate drive Low input capacitance: Ciss = 1350 pF typ Outline RENESAS Package code: PRSS0003AD-A(Pac

 8.3. Size:153K  renesas
rjk0631jpe.pdfpdf_icon

RJK0630JPE

RJK0631JPE R07DS0341JJ0500NMOS FET Rev.5.00 2013.07.24 AEC-Q101 RDS(on) = 12 m typ. (4.5 V) Ciss = 1350 pF typ : PRSS0004AE-B( : LDPAK (S)-(

Другие MOSFET... RJK03M5DNS , RJK03M5DPA , RJK0406JPE , RJK0601DPN-E0 , RJK0602DPN-E0 , RJK0603DPN-E0 , RJK0628JPE , RJK0629JPE , 8N60 , RJK0631JPD , RJK0631JPE , RJK0631JPR , RJK0632JPD , RJK0636JPD , RJK0703DPN-E0 , RJK0703DPP-E0 , RJK1001DPP-E0 .

History: AP75T10GP | HGP130N12SL | 2SK655 | PM516BZ | NCEP40P65QU | P5015BD

 

 
Back to Top

 


 
.