RJK1575DPA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RJK1575DPA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm

Тип корпуса: WPAK

Аналог (замена) для RJK1575DPA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJK1575DPA даташит

 ..1. Size:87K  renesas
rjk1575dpa.pdfpdf_icon

RJK1575DPA

Preliminary Datasheet RJK1575DPA R07DS0858EJ0200 150V - 25A - MOS FET Rev.2.00 High Speed Power Switching Jan 08, 2013 Features Very low on-resistance RDS(on) = 0.038 typ. (at ID = 12.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) Low gate charge Qg = 37 nC typ. (at VDD = 120 V, VGS = 10 V, ID = 25 A, Ta = 25 C) Low leakage current High speed switching Outline

 8.1. Size:86K  renesas
rjk1576dpa.pdfpdf_icon

RJK1575DPA

Preliminary Datasheet RJK1576DPA R07DS0855EJ0200 150V - 25A - MOS FET Rev.2.00 High Speed Power Switching Jan 10, 2013 Features Low on-resistance RDS(on) = 0.046 typ. (at ID = 12.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) Low leakage current High speed switching Outline RENESAS Package code PWSN0008DE-A (Package name WPAK(3F)) 5 6 7 8 D D D D 8 6 7 5 4 1, 2,

 9.1. Size:81K  renesas
r07ds0270ej rjk1560dpp.pdfpdf_icon

RJK1575DPA

Preliminary Datasheet RJK1560DPP-M0 R07DS0270EJ0100 Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00 High Speed Power Switching Mar 07, 2011 Features Capable of 2.5 V gate drive Low on-resistance RDS(on) = 0.043 typ. (at ID = 10 A, VGS = 4 V, Ta = 25 C) Low leakage current High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0003AF-A (Package name TO-220FL)

 9.2. Size:80K  renesas
rej03g1612 rjk1536dpeds.pdfpdf_icon

RJK1575DPA

Preliminary Datasheet RJK1536DPE REJ03G1612-0300 N-Channel Power MOSFET Rev.3.00 High-Speed Switching Use Jun 30, 2010 Features VDSS 150 V RDS(on) 30 m (Max) ID 50 A Outline RENESAS Package code PRSS0004AE-B (Package name LDPAK(S)-(1) ) 2, 4 D 4 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 G 4. Drain 1 2 3 S 3 Application Motor control, Lighting

Другие IGBT... RJK1003DPP-E0, RJK1008DPP-E0, RJK1206JPD, RJK1209JPE, RJK1525DPJ, RJK1525DPP-M0, RJK1535DPF, RJK1535DPJ, 50N06, RJK1576DPA, RJK1590DP3-A0, RJK2061JPE, RJK2062JPK, RJK2075DPA, RJK2076DPA, RJK4002DJE, RJK4002DPD