RJK4002DPD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RJK4002DPD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.9 Ohm

Тип корпуса: MP-3A

Аналог (замена) для RJK4002DPD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJK4002DPD даташит

 ..1. Size:94K  renesas
 rjk4002dpd.pdf pdf_icon

RJK4002DPD

Preliminary Datasheet RJK4002DPD R07DS0835EJ0210 400V - 3A - MOS FET Rev.2.10 High Speed Power Switching Jan 29, 2014 Features Low on-state resistance RDS(on) = 2.4 typ. (at ID = 1.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) Low drive current High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0004ZG-A D (Package name MP-3A) 4 1. Gate 2. Drain G 3. Source 1

 5.1. Size:78K  renesas
 r07ds0551ej rjk4002dpp.pdf pdf_icon

RJK4002DPD

Preliminary Datasheet RJK4002DPP-M0 R07DS0551EJ0100 Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00 High Speed Power Switching Oct 03, 2011 Features Low on-state resistance RDS(on) = 2.4 typ. (at ID = 1.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0003AF-A (Package name TO-220FL) D 1. Gate 2. Drain G 3. Source 1 2 3 S Abso

 6.1. Size:84K  renesas
 rjk4002dje.pdf pdf_icon

RJK4002DPD

Preliminary Datasheet RJK4002DJE R07DS0842EJ0200 400V - 3A - MOS FET Rev.2.00 High Speed Power Switching Aug 03, 2012 Features Low on-state resistance RDS(on) = 2.4 typ. (at ID = 1.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0003DC-A (Package name TO-92 Mod) D 1. Source G 2. Drain 3. Gate S 3 2 1 Absolute Max

 8.1. Size:79K  renesas
 r07ds0228ej rjk4006dpp.pdf pdf_icon

RJK4002DPD

Preliminary Datasheet RJK4006DPP-M0 R07DS0228EJ0100 Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00 High Speed Power Switching Dec 14, 2010 Features Low on-resistance RDS(on) = 0.69 typ. (ID = 4 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) Low leakage current High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0003AF-A (Package name TO-220FL) D 1. Gate 2. Drain G 3. Source

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJK1575DPA, RJK1576DPA, RJK1590DP3-A0, RJK2061JPE, RJK2062JPK, RJK2075DPA, RJK2076DPA, RJK4002DJE, IRFP260N, RJK4034DJE, RJK4502DJE, RJK4502DPD, RJK4512DPP-E0, RJK4532DPD, RJK4532DPH-E0, RJK5002DJE, RJK5002DPD