Справочник MOSFET. RJK6036DP3-A0

 

RJK6036DP3-A0 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RJK6036DP3-A0
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.8 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для RJK6036DP3-A0

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJK6036DP3-A0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:61K  renesas
rjk6036dp3-a0.pdfpdf_icon

RJK6036DP3-A0

Preliminary DatasheetRJK6036DP3-A0 R07DS0841EJ0100600V - 2A - MOS FET Rev.1.00High Speed Power Switching Jul 05, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 5.7 typ. (at ID = 1 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) Low drive current High density mounting Outline RENESAS Package code: PRSP0004ZB-APackage name: SOT-223D41. Gate2. DrainG3 3. Source24.

 8.1. Size:81K  1
rjk6035dpp-e0.pdfpdf_icon

RJK6036DP3-A0

Preliminary Datasheet RJK6035DPP-E0 R07DS0616EJ0100600V - 6A - MOS FET Rev.1.00High Speed Power Switching Feb 24, 2012Features Low on-resistance RDS(on) = 1.1 typ. (at ID = 3 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) Low leakage current High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0003AG-A(Package name: TO-220FP)D1. Gate2. DrainG3. Source1S

 8.2. Size:76K  renesas
r07ds0553ej rjk6034dpd.pdfpdf_icon

RJK6036DP3-A0

Preliminary Datasheet RJK6034DPD-E0 R07DS0553EJ0100600 V - 1 A - MOS FET Rev.1.00High Speed Power Switching Oct 13, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 9.8 typ. (at ID = 0.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) Low leakage current High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZJ-AD(Package name : TO-252)41. Gate2. DrainG3. Source

 8.3. Size:90K  renesas
rjk6032dph-e0.pdfpdf_icon

RJK6036DP3-A0

Preliminary Datasheet RJK6032DPH-E0 R07DS0993EJ0100600V - 3A - MOS FET Rev.1.00High Speed Power Switching Jan 23, 2013Features Low on-resistance RDS(on) = 3.3 typ. (at ID = 1.0 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) Low drive current High density mounting Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZJ-B(Package name: TO-251) D41. Gate2. DrainG3. Source4.

Другие MOSFET... RJK5032DPD , RJK5032DPH-E0 , RJK6002DJE , RJK6002DPH-E0 , RJK6013DPP-E0 , RJK6024DP3-A0 , RJK6025DPH-E0 , RJK6032DPH-E0 , 5N60 , RJL5012DPP , RJL5013DPP , RJL5014DPP , RJL6012DPP , RJL6013DPP , RJL6014DPP , RJM0404JSC , RJM0603JSC .

History: HY5208A | APT8024B2FLLG | PK610SA | AM6401 | AM7001P | PMF77XN | RQJ0306FQDQS

 

 
Back to Top

 


 
.