RJK6036DP3-A0 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RJK6036DP3-A0
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.8 Ohm
Тип корпуса: SOT-223
Аналог (замена) для RJK6036DP3-A0
RJK6036DP3-A0 Datasheet (PDF)
rjk6036dp3-a0.pdf
Preliminary DatasheetRJK6036DP3-A0 R07DS0841EJ0100600V - 2A - MOS FET Rev.1.00High Speed Power Switching Jul 05, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 5.7 typ. (at ID = 1 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) Low drive current High density mounting Outline RENESAS Package code: PRSP0004ZB-APackage name: SOT-223D41. Gate2. DrainG3 3. Source24.
rjk6035dpp-e0.pdf
Preliminary Datasheet RJK6035DPP-E0 R07DS0616EJ0100600V - 6A - MOS FET Rev.1.00High Speed Power Switching Feb 24, 2012Features Low on-resistance RDS(on) = 1.1 typ. (at ID = 3 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) Low leakage current High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0003AG-A(Package name: TO-220FP)D1. Gate2. DrainG3. Source1S
r07ds0553ej rjk6034dpd.pdf
Preliminary Datasheet RJK6034DPD-E0 R07DS0553EJ0100600 V - 1 A - MOS FET Rev.1.00High Speed Power Switching Oct 13, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 9.8 typ. (at ID = 0.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) Low leakage current High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZJ-AD(Package name : TO-252)41. Gate2. DrainG3. Source
rjk6032dph-e0.pdf
Preliminary Datasheet RJK6032DPH-E0 R07DS0993EJ0100600V - 3A - MOS FET Rev.1.00High Speed Power Switching Jan 23, 2013Features Low on-resistance RDS(on) = 3.3 typ. (at ID = 1.0 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) Low drive current High density mounting Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZJ-B(Package name: TO-251) D41. Gate2. DrainG3. Source4.
Другие MOSFET... RJK5032DPD , RJK5032DPH-E0 , RJK6002DJE , RJK6002DPH-E0 , RJK6013DPP-E0 , RJK6024DP3-A0 , RJK6025DPH-E0 , RJK6032DPH-E0 , IRLB4132 , RJL5012DPP , RJL5013DPP , RJL5014DPP , RJL6012DPP , RJL6013DPP , RJL6014DPP , RJM0404JSC , RJM0603JSC .
History: BUK7M17-80E | FIR10N20LG | NP80N04NLG | BUK7660-100A
History: BUK7M17-80E | FIR10N20LG | NP80N04NLG | BUK7660-100A
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
2sa750 replacement | 2sc984 replacement | a1046 transistor | hy19p03 | 2sk2749 | c2577 transistor | k3563 transistor | 2sc1775 datasheet





