RJU002N06FRA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RJU002N06FRA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm

Тип корпуса: UMT3

Аналог (замена) для RJU002N06FRA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJU002N06FRA даташит

 ..1. Size:1020K  rohm
 rju002n06fra.pdf pdf_icon

RJU002N06FRA

AEC-Q101 Qualified 2.5V Drive Nch MOSFET RJU002N06 RJU002N06FRA Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET UMT3 2.0 0.9 0.3 0.2 0.7 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive (2.5V drive). (2) (1) 0.65 0.65 0.15 1.3 (1) Source Each lead has same dimensions Applications (2) Gate Abbreviated symbol ML Switching (3) Drain Packaging s

 5.1. Size:41K  rohm
 rju002n06t106.pdf pdf_icon

RJU002N06FRA

RJU002N06 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RJU002N06 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET UMT3 2.0 0.9 0.3 0.2 0.7 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive (2.5V drive). (2) (1) 0.65 0.65 0.15 1.3 (1) Source Each lead has same dimensions Applications (2) Gate Switching Abbreviated symbol ML (3) Drain Packa

 5.2. Size:145K  rohm
 rju002n06.pdf pdf_icon

RJU002N06FRA

2.5V Drive Nch MOSFET RJU002N06 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET UMT3 2.0 0.9 0.3 0.2 0.7 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive (2.5V drive). (2) (1) 0.65 0.65 0.15 1.3 (1) Source Each lead has same dimensions Applications (2) Gate Abbreviated symbol ML Switching (3) Drain Packaging specifications Inner circuit (3

 9.1. Size:216K  rohm
 rju003n03t106.pdf pdf_icon

RJU002N06FRA

2.5V Drive Nch MOSFET RJU003N03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET UMT3 2.0 0.9 0.3 0.2 0.7 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive (2.5V drive). (2) (1) 0.65 0.65 0.15 1.3 (1) Source Each lead has same dimensions Applications (2) Gate Abbreviated symbol LP Switching (3) Drain Packaging specifications and hFE Inner circu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJL5013DPP, RJL5014DPP, RJL6012DPP, RJL6013DPP, RJL6014DPP, RJM0404JSC, RJM0603JSC, RJP020N06T100, 12N60, RJU002N06T106, RJU003N03FRA, RJU003N03T106, RK3055ETL, RK7002AT116, RK7002BM, RK7002BT116, RK7002T116