Справочник MOSFET. RP1E050RPTR

 

RP1E050RPTR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RP1E050RPTR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: MPT6
 

 Аналог (замена) для RP1E050RPTR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RP1E050RPTR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:295K  rohm
 rp1e050rptr.pdf pdf_icon

RP1E050RPTR

4V Drive Pch MOSFET RP1E050RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETMPT6(Single)(6) (5) (4)Features1) Low On-resistance.2) High power package.(1) (2) (3)3) 4V drive. ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingTypeCode TRBasic ordering unit (pieces) 1000RP1E050RP 2(1)

 5.1. Size:298K  rohm
 rp1e050rp.pdf pdf_icon

RP1E050RPTR

4V Drive Pch MOSFET RP1E050RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETMPT6(Single)(6) (5) (4)Features1) Low On-resistance.2) High power package.(1) (2) (3)3) 4V drive. ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingTypeCode TRBasic ordering unit (pieces) 1000RP1E050RP 2(1)

 9.1. Size:286K  rohm
 rp1e090rptr.pdf pdf_icon

RP1E050RPTR

4V Drive Pch MOSFET RP1E090RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETMPT6(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (MPT6).(1) (2) (3) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(6) (5) (4)TypeCode TRBasic ordering unit (pieces) 1000

 9.2. Size:1121K  rohm
 rp1e070xn.pdf pdf_icon

RP1E050RPTR

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RP1E070XN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETMPT6(Single)(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (2) (3)3) Small Surface Mount Package (MPT6). ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingTypeCode TRBasic order

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RJU003N03T106 , RK3055ETL , RK7002AT116 , RK7002BM , RK7002BT116 , RK7002T116 , RND030N20 , RP1A090ZPTR , IRFZ24N , RP1E090RPTR , RP1E100RPTR , RQ1A060ZPTR , RQ1A070ZPTR , RQ1E050RPTR , RQ3E070BN , RQ3E080BN , RQ3E080GN .

History: EV3400 | OSG65R070PT3F | PB606BA | SI7617DN | ME4972-G | TPCP8204 | P4506BD

 

 
Back to Top

 


 
.