Справочник MOSFET. RP1E050RPTR

 

RP1E050RPTR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RP1E050RPTR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: MPT6

 Аналог (замена) для RP1E050RPTR

 

 

RP1E050RPTR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:295K  rohm
rp1e050rptr.pdf

RP1E050RPTR
RP1E050RPTR

4V Drive Pch MOSFET RP1E050RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETMPT6(Single)(6) (5) (4)Features1) Low On-resistance.2) High power package.(1) (2) (3)3) 4V drive. ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingTypeCode TRBasic ordering unit (pieces) 1000RP1E050RP 2(1)

 5.1. Size:298K  rohm
rp1e050rp.pdf

RP1E050RPTR
RP1E050RPTR

4V Drive Pch MOSFET RP1E050RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETMPT6(Single)(6) (5) (4)Features1) Low On-resistance.2) High power package.(1) (2) (3)3) 4V drive. ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingTypeCode TRBasic ordering unit (pieces) 1000RP1E050RP 2(1)

 9.1. Size:286K  rohm
rp1e090rptr.pdf

RP1E050RPTR
RP1E050RPTR

4V Drive Pch MOSFET RP1E090RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETMPT6(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (MPT6).(1) (2) (3) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(6) (5) (4)TypeCode TRBasic ordering unit (pieces) 1000

 9.2. Size:1121K  rohm
rp1e070xn.pdf

RP1E050RPTR
RP1E050RPTR

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RP1E070XN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETMPT6(Single)(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (2) (3)3) Small Surface Mount Package (MPT6). ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingTypeCode TRBasic order

 9.3. Size:288K  rohm
rp1e090rp.pdf

RP1E050RPTR
RP1E050RPTR

4V Drive Pch MOSFET RP1E090RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETMPT6(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (MPT6).(1) (2) (3) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(6) (5) (4)TypeCode TRBasic ordering unit (pieces) 1000

 9.4. Size:1066K  rohm
rp1e090xn.pdf

RP1E050RPTR
RP1E050RPTR

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RP1E090XN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETMPT6(Single)(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (2) (3)3) Small Surface Mount Package (MPT6). ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingTypeCode TRBasic order

 9.5. Size:394K  rohm
rp1e075rp.pdf

RP1E050RPTR
RP1E050RPTR

4V Drive Pch MOSFET RP1E075RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETMPT6(Single)Features (6) (5) (4)1) Low On-resistance.2) High power package.(1) (2) (3)3) 4V drive. ApplicationSwitching Inner circuit(6) (5) (4) Packaging specificationsPackage TapingTypeCode TR2Basic ordering unit (pieces) 1000(1) SourceRP1E075

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top