RP1E050RPTR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RP1E050RPTR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: MPT6

Аналог (замена) для RP1E050RPTR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RP1E050RPTR даташит

 ..1. Size:295K  rohm
 rp1e050rptr.pdf pdf_icon

RP1E050RPTR

4V Drive Pch MOSFET RP1E050RP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET MPT6 (Single) (6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance. 2) High power package. (1) (2) (3) 3) 4V drive. Application Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code TR Basic ordering unit (pieces) 1000 RP1E050RP 2 (1)

 5.1. Size:298K  rohm
 rp1e050rp.pdf pdf_icon

RP1E050RPTR

4V Drive Pch MOSFET RP1E050RP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET MPT6 (Single) (6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance. 2) High power package. (1) (2) (3) 3) 4V drive. Application Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code TR Basic ordering unit (pieces) 1000 RP1E050RP 2 (1)

 9.1. Size:286K  rohm
 rp1e090rptr.pdf pdf_icon

RP1E050RPTR

4V Drive Pch MOSFET RP1E090RP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET MPT6 (6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (MPT6). (1) (2) (3) Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code TR Basic ordering unit (pieces) 1000

 9.2. Size:1121K  rohm
 rp1e070xn.pdf pdf_icon

RP1E050RPTR

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RP1E070XN Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET MPT6 (Single) (6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. (1) (2) (3) 3) Small Surface Mount Package (MPT6). Application Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code TR Basic order

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJU003N03T106, RK3055ETL, RK7002AT116, RK7002BM, RK7002BT116, RK7002T116, RND030N20, RP1A090ZPTR, TK10A60D, RP1E090RPTR, RP1E100RPTR, RQ1A060ZPTR, RQ1A070ZPTR, RQ1E050RPTR, RQ3E070BN, RQ3E080BN, RQ3E080GN