RP1E090RPTR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RP1E090RPTR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0169 Ohm

Тип корпуса: MPT6

Аналог (замена) для RP1E090RPTR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RP1E090RPTR даташит

 ..1. Size:286K  rohm
 rp1e090rptr.pdf pdf_icon

RP1E090RPTR

4V Drive Pch MOSFET RP1E090RP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET MPT6 (6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (MPT6). (1) (2) (3) Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code TR Basic ordering unit (pieces) 1000

 5.1. Size:288K  rohm
 rp1e090rp.pdf pdf_icon

RP1E090RPTR

4V Drive Pch MOSFET RP1E090RP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET MPT6 (6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (MPT6). (1) (2) (3) Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code TR Basic ordering unit (pieces) 1000

 7.1. Size:1066K  rohm
 rp1e090xn.pdf pdf_icon

RP1E090RPTR

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RP1E090XN Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET MPT6 (Single) (6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. (1) (2) (3) 3) Small Surface Mount Package (MPT6). Application Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code TR Basic order

 9.1. Size:1121K  rohm
 rp1e070xn.pdf pdf_icon

RP1E090RPTR

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RP1E070XN Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET MPT6 (Single) (6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. (1) (2) (3) 3) Small Surface Mount Package (MPT6). Application Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code TR Basic order

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RK3055ETL, RK7002AT116, RK7002BM, RK7002BT116, RK7002T116, RND030N20, RP1A090ZPTR, RP1E050RPTR, AO4407, RP1E100RPTR, RQ1A060ZPTR, RQ1A070ZPTR, RQ1E050RPTR, RQ3E070BN, RQ3E080BN, RQ3E080GN, RQ3E100BN