Справочник MOSFET. RQ3E130BN

 

RQ3E130BN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RQ3E130BN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: HSMT8
 

 Аналог (замена) для RQ3E130BN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQ3E130BN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2816K  rohm
 rq3e130bn.pdf pdf_icon

RQ3E130BN

RQ3E130BNDatasheetNch 30V 13A Middle Power MOSFETlOutlinel HSMT8VDSS30VRDS(on)(Max.) 6.0m ID 13A PD2W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power Package (HSMT8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackagi

 7.1. Size:476K  rohm
 rq3e130mn.pdf pdf_icon

RQ3E130BN

RQ3E130MN Nch 30V 13A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS30VHSMT8RDS(on) at 10V (Max.)8.1mWRDS(on) at 4.5V (Max.)11.6mWID13APD2.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HSMT8).(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant (4) Gate (8) Drain *1 ESD PROTECTI

 9.1. Size:2687K  rohm
 rq3e150bn.pdf pdf_icon

RQ3E130BN

RQ3E150BNDatasheetNch 30V 15A Middle Power MOSFETlOutlinel HSMT8VDSS30VRDS(on)(Max.) 5.3m ID 15A PD2W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power Package (HSMT8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackagi

 9.2. Size:473K  rohm
 rq3e100gn.pdf pdf_icon

RQ3E130BN

RQ3E100GN Nch 30V 10A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS30VHSMT8RDS(on) at 10V (Max.)11.7mWRDS(on) at 4.5V (Max.)15.7mWID10APD2.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSMT8).(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant(4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free*1 BODY

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RQ3E080BN , RQ3E080GN , RQ3E100BN , RQ3E100GN , RQ3E100MN , RQ3E120AT , RQ3E120BN , RQ3E120GN , IRFB31N20D , RQ3E130MN , RQ3E150BN , RQ3E150GN , RQ3E150MN , RQ3E160AD , RQ3E180AJ , RQ3E180GN , RQ3G100GN .

History: FIR40N20LG | SVS80R430L8AE3TR | NCE60N640K | FMV20N50E | MTP2311M3 | MTW32N25E | GP1M011A050XXX

 

 
Back to Top

 


 
.