RQ3E130MN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RQ3E130MN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0081 Ohm

Тип корпуса: HSMT8

Аналог (замена) для RQ3E130MN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQ3E130MN даташит

 ..1. Size:476K  rohm
rq3e130mn.pdfpdf_icon

RQ3E130MN

RQ3E130MN Nch 30V 13A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 30V HSMT8 RDS(on) at 10V (Max.) 8.1mW RDS(on) at 4.5V (Max.) 11.6mW ID 13A PD 2.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Source (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HSMT8). (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant (4) Gate (8) Drain *1 ESD PROTECTI

 7.1. Size:2816K  rohm
rq3e130bn.pdfpdf_icon

RQ3E130MN

RQ3E130BN Datasheet Nch 30V 13A Middle Power MOSFET lOutline l HSMT8 VDSS 30V RDS(on)(Max.) 6.0m ID 13A PD 2W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power Package (HSMT8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lPackagi

 9.1. Size:2687K  rohm
rq3e150bn.pdfpdf_icon

RQ3E130MN

RQ3E150BN Datasheet Nch 30V 15A Middle Power MOSFET lOutline l HSMT8 VDSS 30V RDS(on)(Max.) 5.3m ID 15A PD 2W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power Package (HSMT8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lPackagi

 9.2. Size:473K  rohm
rq3e100gn.pdfpdf_icon

RQ3E130MN

RQ3E100GN Nch 30V 10A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 30V HSMT8 RDS(on) at 10V (Max.) 11.7mW RDS(on) at 4.5V (Max.) 15.7mW ID 10A PD 2.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSMT8). (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant (4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free *1 BODY

Другие IGBT... RQ3E080GN, RQ3E100BN, RQ3E100GN, RQ3E100MN, RQ3E120AT, RQ3E120BN, RQ3E120GN, RQ3E130BN, STF13NM60N, RQ3E150BN, RQ3E150GN, RQ3E150MN, RQ3E160AD, RQ3E180AJ, RQ3E180GN, RQ3G100GN, RQ3L050GN