RQ3E150BN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RQ3E150BN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm

Тип корпуса: HSMT8

Аналог (замена) для RQ3E150BN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQ3E150BN даташит

 ..1. Size:2687K  rohm
rq3e150bn.pdfpdf_icon

RQ3E150BN

RQ3E150BN Datasheet Nch 30V 15A Middle Power MOSFET lOutline l HSMT8 VDSS 30V RDS(on)(Max.) 5.3m ID 15A PD 2W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power Package (HSMT8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lPackagi

 7.1. Size:475K  rohm
rq3e150mn.pdfpdf_icon

RQ3E150BN

RQ3E150MN Nch 30V 15A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 30V HSMT8 RDS(on) at 10V (Max.) 6.7mW RDS(on) at 4.5V (Max.) 8.9mW ID 15A PD 2.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Source (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HSMT8). (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant (4) Gate (8) Drain *1 ESD PROTECTI

 7.2. Size:473K  rohm
rq3e150gn.pdfpdf_icon

RQ3E150BN

RQ3E150GN Nch 30V 15A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 30V HSMT8 RDS(on) at 10V (Max.) 6.1mW RDS(on) at 4.5V (Max.) 8.1mW ID 15A PD 2.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSMT8). (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant (4) Gate (8) Drain *1 BODY DIODE 4) Halogen F

 9.1. Size:473K  rohm
rq3e100gn.pdfpdf_icon

RQ3E150BN

RQ3E100GN Nch 30V 10A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 30V HSMT8 RDS(on) at 10V (Max.) 11.7mW RDS(on) at 4.5V (Max.) 15.7mW ID 10A PD 2.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSMT8). (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant (4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free *1 BODY

Другие IGBT... RQ3E100BN, RQ3E100GN, RQ3E100MN, RQ3E120AT, RQ3E120BN, RQ3E120GN, RQ3E130BN, RQ3E130MN, IRFZ24N, RQ3E150GN, RQ3E150MN, RQ3E160AD, RQ3E180AJ, RQ3E180GN, RQ3G100GN, RQ3L050GN, RQ5A030AP