RS1E240GN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RS1E240GN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 7.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 375 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
Тип корпуса: HSOP8
RS1E240GN Datasheet (PDF)
rs1e240gn.pdf
RS1E240GN Nch 30V 24A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS30VHSOP8RDS(on) at 10V (Max.)3.3mWRDS(on) at 4.5V (Max.)4.4mWID24APD3.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSOP8).(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant(4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free*1 BODY D
rs1e240bn.pdf
RS1E240BNDatasheetNch 30V 24A Middle Power MOSFETlOutlinel HSOP8VDSS30VRDS(on)(Max.) 3.2m ID 24A PD3W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package (HSOP8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free
rs1e280bn.pdf
RS1E280BNDatasheetNch 30V 28A Middle Power MOSFETlOutlinel HSOP8VDSS30VRDS(on)(Max.) 2.3m ID 28A PD3W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package (HSOP8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free
rs1e280gn.pdf
RS1E280GN Nch 30V 28A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS30VHSOP8RDS(on) at 10V (Max.)2.6mWRDS(on) at 4.5V (Max.)3.3mWID28APD3.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSOP8).(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant(4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free*1 BODY D
rs1e200gn.pdf
RS1E200GN Nch 30V 20A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS30VHSOP8RDS(on) at 10V (Max.)4.6mWRDS(on) at 4.5V (Max.)6.1mWID20APD3.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSOP8).(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant(4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free*1 BODY D
rs1e200bn.pdf
RS1E200BNDatasheetNch 30V 20A Middle Power MOSFETlOutlinel HSOP8VDSS30VRDS(on)(Max.) 3.9m ID 20A PD3.0W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package (HSOP8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Fr
rs1e200ah.pdf
RS1E200AHDatasheetNch 30V 20A Power MOSFETlOutlinel HSOP8VDSS30VRDS(on)(Max.) 5.2m ID 20A PD3W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power Package (HSOP8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.5) 100% Rg and
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918