RSD221N06FRA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSD221N06FRA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: SC-63

Аналог (замена) для RSD221N06FRA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSD221N06FRA даташит

 ..1. Size:891K  rohm
 rsd221n06fra.pdf pdf_icon

RSD221N06FRA

RSD221N06FRA Nch 60V 22A Power MOSFET Datasheet AEC-Q101 Qualified lOutline VDSS 60V CPT3 (SC-63) RDS(on) (Max.) 26mW (3) ID 22A (2) (1) PD 20W lFeatures lInner circuit (3) 1) Low on-resistance. (1) Gate *1 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source (1) 3) Drive circuits can be simple. *2 *1 ESD PROTECTION DIODE 4) Parallel use is easy. *2

 5.1. Size:366K  rohm
 rsd221n06.pdf pdf_icon

RSD221N06FRA

RSD221N06 Nch 60V 22A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 60V CPT3 (SC-63) RDS(on) (Max.) 26mW (3) ID 22A (2) (1) PD 20W lFeatures lInner circuit (3) 1) Low on-resistance. (1) Gate *1 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source (1) 3) Drive circuits can be simple. *2 *1 ESD PROTECTION DIODE 4) Parallel use is easy. *2 BODY DIODE 5) Pb-free

Другие IGBT... RSD140P06FRA, RSD150N06FRA, RSD160P05FRA, RSD175N10FRA, RSD200N10TL, RSD201N10, RSD201N10FRA, RSD221N06, AO3401, RSE002P03TL, RSF010P03TL, RSF014N03TL, RSH065N03TB1, RSH065N06TB1, RSH070N05TB1, RSH070P05TB1, RSH090N03TB1