RSF014N03TL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RSF014N03TL
Маркировка: PN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.8 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 1.4 nC
Время нарастания (tr): 6 ns
Выходная емкость (Cd): 15 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.24 Ohm
Тип корпуса: TUMT3
Аналог (замена) для RSF014N03TL
RSF014N03TL Datasheet (PDF)
rsf014n03tl.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
RSF014N03 Transistors 4V Drive Nch MOSFET RSF014N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT3). 3) 4V drive. (1) Gate(2) SourceAbbreviated symbol : PN Applications(3) DrainSwitching Packaging specifications Inner circuit (3)Package TapingType Code
rsf014n03.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
RSF014N03 Transistors 4V Drive Nch MOSFET RSF014N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT3). 3) 4V drive. (1) Gate(2) SourceAbbreviated symbol : PN Applications(3) DrainSwitching Packaging specifications Inner circuit (3)Package TapingType Code
rsf010p03tl.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
RSF010P03 Transistors 4V Drive Pch MOS FET RSF010P03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET TUMT3 0.85Max.2.00.3 Features 0.77(3)1) Low on-resistance. 0~0.12) High speed switching. (1) (2)0.170.65 0.651.3(1) Gate Applications(2) SourceAbbreviated symbol : WXSwitching (3) Drain Packaging specifications Inner circui
rsf015n06.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSF015N06 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETTUMT3Features1) Built-in G-S Protection Diode.2) Small Surface Mount Package (TUMT3).3) Low voltage drive. (4V) Abbreviated symbol : PX ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode TLBasic ordering unit (p
rsf010p05.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Data Sheet4V Drive Pch MOSFET RSF010P05 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTUMT3Features1) Low On-resistance.2) Small high power package.3) Low voltage drive.(4V)Abbreviated symbol : SU ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingType Code TLBasic ordering unit (pieces) 30001RSF010P
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
![RSF014N03TL](https://alltransistors.com/images/us.png)
![RSF014N03TL](https://alltransistors.com/images/es.png)
![RSF014N03TL](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C