RSQ035N03FRA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSQ035N03FRA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.062 Ohm

Тип корпуса: TSMT6

Аналог (замена) для RSQ035N03FRA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSQ035N03FRA даташит

 ..1. Size:914K  rohm
 rsq035n03fra.pdf pdf_icon

RSQ035N03FRA

RSQ035N03FRA RSQ035N03 Transistors AEC-Q101 Qualified 4V Drive Nch MOS FET RSQ035N03 RSQ035N03FRA Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 Features 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0 0.1 (1) (2) (3) 1pin mark 0.16 0.4 Applications Each lead

 5.1. Size:53K  rohm
 rsq035n03tr.pdf pdf_icon

RSQ035N03FRA

RSQ035N03 Transistors 4V Drive Nch MOS FET RSQ035N03 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 Features 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0 0.1 (1) (2) (3) 1pin mark 0.16 0.4 Applications Each lead has same dimensions Switching Abbreviate

 8.1. Size:96K  rohm
 rsq035p03.pdf pdf_icon

RSQ035N03FRA

RSQ035P03 Transistor 4V Drive Pch MOS FET RSQ035P03 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 Features 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) 1) Low On-resistance.(65m at 4.5V) 2) High Power Package. 0 0.1 (1) (2) (3) 3) High speed switching. 1pin mark 4) Low voltage drive. (4V) 0.16 0.4 Each lead has same dimensions A

 8.2. Size:952K  rohm
 rsq035p03fra.pdf pdf_icon

RSQ035N03FRA

RSQ035P03FRA RSQ035P03 Transistor AEC-Q101 Qualified 4V Drive Pch MOS FET RSQ035P03FRA RSQ035P03 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 Features 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) 1) Low On-resistance.(65m at 4.5V) 2) High Power Package. 0 0.1 (1) (2) (3) 3) High speed switching. 1pin mark 4) Low voltage drive. (4V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RSM002P03T2L, RSM5853P, RSQ015N06TR, RSQ020N03FRA, RSQ020N03TR, RSQ025P03FRA, RSQ025P03TR, RSQ030P03TR, IRFP250, RSQ035N03TR, RSQ035P03FRA, RSQ035P03TR, RSQ045N03FRA, RSQ045N03TR, RSR010N10FHA, RSR015P03TL, RSR020N06TL