Справочник MOSFET. RSQ045N03TR

 

RSQ045N03TR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RSQ045N03TR
   Маркировка: QL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: TSMT6

 Аналог (замена) для RSQ045N03TR

 

 

RSQ045N03TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:117K  rohm
 rsq045n03tr.pdf

RSQ045N03TR RSQ045N03TR

RSQ045N03 Transistors 4V Drive Nch MOSFET RSQ045N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 3) Low voltage drive (4V drive). Each lead has same dimensions ApplicationsAbbreviated symbol : QLSwitching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4)

 ..2. Size:842K  cn vbsemi
 rsq045n03tr.pdf

RSQ045N03TR RSQ045N03TR

RSQ045N03TRwww.VBsemi.twN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.030 at VGS = 10 V 6 Low On-Resistance30 4.2 nC0.040 at VGS = 4.5 V 6 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTSOP-6APPLICATIONS DC/

 5.1. Size:119K  rohm
 rsq045n03.pdf

RSQ045N03TR RSQ045N03TR

RSQ045N03 Transistors 4V Drive Nch MOSFET RSQ045N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 3) Low voltage drive (4V drive). Each lead has same dimensions ApplicationsAbbreviated symbol : QLSwitching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4)

 5.2. Size:1083K  rohm
 rsq045n03fra.pdf

RSQ045N03TR RSQ045N03TR

RSQ045N03FRA Nch 30V 4.5A Power MOSFET DatasheetAEC-Q101 QualifiedlOutline(6) VDSS30VTSMT6 (5) (4) RDS(on) (Max.)38mWID (1) 4.5A(2) PD1.25W(3) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Drain (2) Drain 2) Built-in G-S Protection Diode.(3) Gate (4) Source 3) Small Surface Mount Package (TSMT6).(5) Drain (6) Drain 4) Pb-free lead plati

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top