RSR025P03TL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSR025P03TL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.098 Ohm

Тип корпуса: TSMT3

Аналог (замена) для RSR025P03TL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSR025P03TL даташит

 ..1. Size:105K  rohm
rsr025p03tl.pdfpdf_icon

RSR025P03TL

RSR025P03 Transistors 4V Drive Pch MOSFET RSR025P03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT3 1.0MAX 2.9 0.85 0.4 0.7 ( ) 3 Features 1) Low On-resistance 2) Space saving-small surface mount package (TSMT3) ( ) ( ) 1 2 0.95 0.95 3) 4V drive 0.16 1.9 (1) Gate Each lead has same dimensions (2) Source Abbreviated symbol WY Applications (3)

 5.1. Size:106K  rohm
rsr025p03.pdfpdf_icon

RSR025P03TL

RSR025P03 Transistors 4V Drive Pch MOSFET RSR025P03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT3 1.0MAX 2.9 0.85 0.4 0.7 ( ) 3 Features 1) Low On-resistance 2) Space saving-small surface mount package (TSMT3) ( ) ( ) 1 2 0.95 0.95 3) 4V drive 0.16 1.9 (1) Gate Each lead has same dimensions (2) Source Abbreviated symbol WY Applications (3)

 5.2. Size:979K  rohm
rsr025p03fra.pdfpdf_icon

RSR025P03TL

RSR025P03FRA RSR025P03 Transistors AEC-Q101 Qualified 4V Drive Pch MOSFET RSR025P03 RSR025P03FRA Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT3 1.0MAX 2.9 0.85 0.4 0.7 (3) Features 1) Low On-resistance 2) Space saving-small surface mount package (TSMT3) (1) (2) 0.95 0.95 3) 4V drive 0.16 1.9 (1) Gate Each lead has same dimensions (2) Source Abbrevia

 8.1. Size:65K  rohm
rsr025n03.pdfpdf_icon

RSR025P03TL

RSR025N03 Transistors 4V Drive Nch MOS FET RSR025N03 External dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel TSMT3 1.0MAX MOS FET 2.9 0.85 0.4 0.7 (3) Features 1) Low on-resistance. ( ) ( ) 1 2 0.95 0.95 2) Built-in G-S Protection Diode. 0.16 1.9 3) Small Surface Mount Package (TSMT3) . (1) Gate Each lead has same dimensions (2) Source Abbreviated symbol

Другие IGBT... RSR020P03, RSR020P03TL, RSR020P05, RSR020P05FRA, RSR025N03FRA, RSR025N03TL, RSR025N05FRA, RSR025P03FRA, 75N75, RSR030N06TL, RSS040P03FU6TB, RSS040P03TB, RSS050P03FU6TB, RSS050P03TB, RSS060P05, RSS060P05FRA, RSS065N03FU6TB