RSS070P05 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RSS070P05
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 45 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 34 nC
Время нарастания (tr): 35 ns
Выходная емкость (Cd): 510 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.027 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
RSS070P05 Datasheet (PDF)
rss070p05.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
RSS070P05 Transistor 4V Drive Pch MOS FET RSS070P05 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel SOP85.0MOS FET 1.750.4(8) (5) Features 1) Built-in G-S Protection Diode. 2) Small and Surface Mount Package (SOP8). (1) (4)0.21.271pin mark Applications Each lead has same dimensionsPower switching , DC / DC converter , Inverter Packaging
rss070p05.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
RSS070P05www.VBsemi.twP-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.010 at VGS = - 10 V - 16.1 100 % Rg Tested- 40 33 nC0.014 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSS Load Switch POLSO-8GSD1
rss070n05.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
RSS070N05 Transistor 4V Drive Nch MOS FET RSS070N05 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel SOP85.0MOS FET 1.750.4(8) (5) Features 1) Built-in G-S Protection Diode. 2) Small Surface Mount Package (SOP8). (1) (4)0.21.271pin mark Applications Each lead has same dimensionsPower switching , DC / DC converter , Inverter Packaging dim
rss075p03fu6tb rss075p03tb.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
RSS075P03 Transistors Switching (-30V, -7.5A) RSS075P03 External dimensions (Unit : mm) Features 1) Low On-resistance. SOP82) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small and Surface Mount Package (SOP8). 3.9 Application 6.0Power switching, DC / DC converter. 0.4Min.Each lead has same dimensions Structure Silicon P-channel MOS FET Packaging specifications Eq
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
![RSS070P05](https://alltransistors.com/images/us.png)
![RSS070P05](https://alltransistors.com/images/es.png)
![RSS070P05](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C