RSS090N03FU6TB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSS090N03FU6TB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для RSS090N03FU6TB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSS090N03FU6TB даташит

 ..1. Size:57K  rohm
rss090n03fu6tb.pdfpdf_icon

RSS090N03FU6TB

RSS090N03 Transistors Switching (30V, 9A) RSS090N03 External dimensions (Unit mm) Features 1) Low on-resistance. SOP8 5.0 0.2 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small and Surface Mount Package (SOP8). 0.2 0.1 Application Power switching, DC/DC converter. 0.4 0.1 1.27 0.1 Each lead has same dimensions Structure Silicon N-channel MOS FET Equivalent c

 8.1. Size:81K  rohm
rss090p03fu6tb rss090p03tb.pdfpdf_icon

RSS090N03FU6TB

RSS090P03 Transistors Switching (-30V, -9.0A) RSS090P03 External dimensions (Unit mm) Features 1) Low On-resistance. SOP8 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small and Surface Mount Package (SOP8). 3.9 Application 6.0 Power switching, DC / DC converter. 0.4Min. Each lead has same dimensions Structure Silicon P-channel MOS FET Packaging specifications Eq

 8.2. Size:1428K  cn vbsemi
rss090p03.pdfpdf_icon

RSS090N03FU6TB

RSS090P03 www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Available 0.0125 at VGS = - 10 V - 11.6 TrenchFET Power MOSFET - 30 22 nC 100 % Rg Tested 0.0180 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % UIS Tested APPLICATIONS Load Switches S - Notebook PCs SO-8 - Desktop PC

 9.1. Size:120K  rohm
rss095n05.pdfpdf_icon

RSS090N03FU6TB

RSS095N05 Transistor 4V Drive Nch MOS FET RSS095N05 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel SOP8 5.0 MOS FET 1.75 0.4 (8) (5) Features 1) Built-in G-S Protection Diode. 2) Small Surface Mount Package (SOP8). (1) (4) 0.2 1.27 1pin mark Each lead has same dimensions Applications Power switching , DC / DC converter , Inverter Packaging di

Другие IGBT... RSS065N03FU6TB, RSS065N03TB, RSS065N06FU6TB, RSS070N05, RSS070P05, RSS075P03FU6TB, RSS075P03TB, RSS085N05, MMIS60R580P, RSS090P03FU6TB, RSS090P03TB, RSS095N05, RSS100N03FU6TB, RSS100N03TB, RSS105N03FU6TB, RSS105N03TB, RSS110N03FU6TB