Справочник MOSFET. RT3J33M

 

RT3J33M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RT3J33M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: SC-88
 

 Аналог (замена) для RT3J33M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RT3J33M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:147K  isahaya
 rt3j33m.pdf pdf_icon

RT3J33M

PRELIMINARY RT3J33MComposite Transistor For high speed switchingSilicon -channel MOSFETDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3J33M is a composite transistor built with two INJ0003AX chips in SC-88 package. 2.1 1.25 FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current. Vth is low, and drive by low volt

Другие MOSFET... RSS130N03TB , RSS140N03TB , RSU002P03T106 , RSY200N05TL , RT1A040ZPTR , RT1A050ZPTR , RT3J11M , RT3J22M , IRF3710 , RT3J55M , RT3K11M , RT3K22M , RT3K33M , RT3K44M , RT3K66M , RT3U11M , RT3U22M .

 

 
Back to Top

 


 
.