RTL020P02TR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RTL020P02TR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm

Тип корпуса: TUMT6

Аналог (замена) для RTL020P02TR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RTL020P02TR даташит

 ..1. Size:89K  rohm
 rtl020p02tr.pdf pdf_icon

RTL020P02TR

RTL020P02 Transistors DC-DC Converter (-20V, -2.0A) RTL020P02 External dimensions (Unit mm) Features 1) Low on-resistance. (80m at 2.5V) TUMT6 2.0 0.1 0.85MAX 2) High power package. 0.3+0.1 0.77 0.05 -0.05 3) High speed switching. (6) (5) (4) 4) Low voltage drive. (2.5V) 0 0.1 (1) (2) (3) (1) Drain Applications 0.65 0.65 0.17 0.05 (2) Drain 1pin mark

 5.1. Size:955K  rohm
 rtl020p02fra.pdf pdf_icon

RTL020P02TR

RTL020P02FRA RTL020P02 Transistors AEC-Q101 Qualified 2.5V Drive Pch MOSFET RTL020P02FRA RTL020P02 Dimensions (Unit mm) Structure Silicon P-channel TUMT6 MOSFET Features 1) Low on-resistance. (180m at 2.5V) 2) High power package. 3) High speed switching. 4) Low voltage drive. (2.5V) Abbreviated symbol WU Applications DC-DC converter Packaging specificatio

Другие IGBT... RTF010P02TL, RTF015N03TL, RTF015P02TL, RTF020P02, RTF020P02TL, RTF025N03FRA, RTF025N03TL, RTL020P02FRA, AO3401, RTL030P02TR, RTL035N03FRA, RTL035N03TR, RTM002P02T2L, RTP315N10F7, RTQ020N03FRA, RTQ020N03TR, RTQ020N05TR