RTQ025P02FRA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RTQ025P02FRA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TSMT6

Аналог (замена) для RTQ025P02FRA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RTQ025P02FRA даташит

 ..1. Size:961K  rohm
rtq025p02fra.pdfpdf_icon

RTQ025P02FRA

RTQ025P02FRA RTQ025P02 Transistor AEC-Q101 Qualified 2.5V Drive Pch MOS FET RTQ025P02FRA RTQ025P02 External dimensions (Unit mm) Structure Silicon P-channel MOSFET TSMT6 1.0MAX Features 2.9 0.85 1.9 1) Low On-resistance.(140m at 2.5V) 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) 2) High Power Package. 3) High speed switching. 0 0.1 (1) (2) (3) 4) Low voltage drive.(2.5V) 1pin

 5.1. Size:94K  rohm
rtq025p02tr.pdfpdf_icon

RTQ025P02FRA

RTQ025P02 Transistor DC-DC Converter (-20V, -2.5A) RTQ025P02 External dimensions (Units mm) Features 1) Low On-resistance.(140m at 2.5V) 2) High Power Package. TSMT6 2.8 3) High speed switching. 1.6 4) Low voltage drive.(2.5V) Each lead has same dimensions Abbreviatedsymbol TQ Applications DC-DC converter Equivalent circuit Structure Silicon P-channe

 5.2. Size:94K  rohm
rtq025p02.pdfpdf_icon

RTQ025P02FRA

RTQ025P02 Transistor DC-DC Converter (-20V, -2.5A) RTQ025P02 External dimensions (Units mm) Features 1) Low On-resistance.(140m at 2.5V) 2) High Power Package. TSMT6 2.8 3) High speed switching. 1.6 4) Low voltage drive.(2.5V) Each lead has same dimensions Abbreviatedsymbol TQ Applications DC-DC converter Equivalent circuit Structure Silicon P-channe

 9.1. Size:217K  rohm
rtq020n05.pdfpdf_icon

RTQ025P02FRA

2.5V Drive Nch MOSFET RTQ020N05 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 Features 0.95 0.95 0.7 1) Low On-resistance. (6) (5) (4) 2) Space saving small surface mount package (TSMT6). 0 0.1 3) Low voltage drive (2.5V drive). (1) (2) (3) 1pin mark 0.16 0.4 Each lead has same dimensions Applications Abbreviated symbo

Другие IGBT... RTL030P02TR, RTL035N03FRA, RTL035N03TR, RTM002P02T2L, RTP315N10F7, RTQ020N03FRA, RTQ020N03TR, RTQ020N05TR, 12N60, RTQ025P02TR, RTQ030P02TR, RTQ035N03FRA, RTQ035N03TR, RTQ035P02FHA, RTQ035P02TR, RTQ040P02TR, RTQ045N03FRA