RTQ035P02FHA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RTQ035P02FHA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: TSMT6

Аналог (замена) для RTQ035P02FHA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RTQ035P02FHA даташит

 ..1. Size:1036K  rohm
 rtq035p02fha.pdf pdf_icon

RTQ035P02FHA

RTQ035P02FHA RTQ035P02 Transistor AEC-Q101 Qualified 2.5V Drive Pch MOS FET RTQ035P02FHA RTQ035P02 External dimensions (Unit mm) Structure Silicon P-channel MOSFET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 Features 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) 1) Low On-resistance.(80m at 2.5V) 2) High Power Package. 0 0.1 (1) (2) (3) 3) High speed switching. 1pin mark 4) Low voltage drive.(2.5

 5.1. Size:94K  rohm
 rtq035p02tr.pdf pdf_icon

RTQ035P02FHA

RTQ035P02 Transistor DC-DC Converter (-20V, -3.5A) RTQ035P02 External dimensions (Units mm) Features 1) Low On-resistance.(80m at 2.5V) 2) High Power Package. TSMT6 2.8 3) High speed switching. 1.6 4) Low voltage drive.(2.5V) Each lead has same dimensions Abbreviatedsymbol TL Applications DC-DC converter Equivalent circuit Structure Silicon P-channel

 8.1. Size:53K  rohm
 rtq035n03tr.pdf pdf_icon

RTQ035P02FHA

RTQ035N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTQ035N03 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 Features 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0 0.1 3) Low voltage drive (2.5V drive). (1) (2) (3) 1pin mark 0.16 0.4 Each lead has same dimensions

 8.2. Size:55K  rohm
 rtq035n03.pdf pdf_icon

RTQ035P02FHA

RTQ035N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTQ035N03 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 Features 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0 0.1 3) Low voltage drive (2.5V drive). (1) (2) (3) 1pin mark 0.16 0.4 Each lead has same dimensions

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RTQ020N03FRA, RTQ020N03TR, RTQ020N05TR, RTQ025P02FRA, RTQ025P02TR, RTQ030P02TR, RTQ035N03FRA, RTQ035N03TR, IRF530, RTQ035P02TR, RTQ040P02TR, RTQ045N03FRA, RTQ045N03TR, RTR020N05FRA, RTR020N05TL, RTR020P02, RTR020P02FRA