RTR040N03TL. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: RTR040N03TL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
Тип корпуса: TSMT3
Аналог (замена) для RTR040N03TL
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
RTR040N03TL даташит
rtr040n03tl.pdf
RTR040N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTR040N03 External dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel TSMT3 1.0MAX MOS FET 2.9 0.85 0.4 0.7 (3) Features 1) Low On-resistance. (1) (2) 0.95 0.95 2) Built-in G-S Protection Diode. 0.16 1.9 3) Small Surface Mount Package (TSMT3). (1) Gate Each lead has same dimensions (2) Source Abbreviated symbol QV
rtr040n03tl.pdf
RTR040N03TL www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 6.5 30 4.5 nC 100 % Rg Tested 0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DC/DC Converter D TO-236 (SOT-23)
rtr040n03fra.pdf
RTR040N03FRA RTR040N03 Transistors AEC-Q101 Qualified 2.5V Drive Nch MOS FET RTR040N03 RTR040N03FRA External dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel TSMT3 1.0MAX MOS FET 2.9 0.85 0.4 0.7 (3) Features 1) Low On-resistance. (1) (2) 0.95 0.95 2) Built-in G-S Protection Diode. 0.16 1.9 3) Small Surface Mount Package (TSMT3). (1) Gate Each lead has same dimen
rtr040n03.pdf
RTR040N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTR040N03 External dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel TSMT3 1.0MAX MOS FET 2.9 0.85 0.4 0.7 (3) Features 1) Low On-resistance. (1) (2) 0.95 0.95 2) Built-in G-S Protection Diode. 0.16 1.9 3) Small Surface Mount Package (TSMT3). (1) Gate Each lead has same dimensions (2) Source Abbreviated symbol QV
Другие MOSFET... RTR025P02FRA , RTR025P02TL , RTR030N05FRA , RTR030N05TL , RTR030P02 , RTR030P02FHA , RTR030P02TL , RTR040N03FRA , IRFZ24N , RTU002P02T106 , RV1C001ZP , RV1C002UN , RV2C001ZP , RV2C002UN , RV2C010UN , RV3C001ZP , RV3C002UN .
History: 2SK1285
History: 2SK1285
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement




