RW1C026ZP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RW1C026ZP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 290 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
Тип корпуса: WEMT6
Аналог (замена) для RW1C026ZP
RW1C026ZP Datasheet (PDF)
rw1c026zp.pdf

RW1C026ZPDatasheetPch -20V -2.5A Middle Power MOSFETlOutlinel WEMT6VDSS-20VRDS(on)(Max.) 70m ID 2.5A PD0.7W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package (WEMT6).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Haloge
rw1c020un.pdf

1.5V Drive Nch MOSFET RW1C020UN Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET WEMT6(6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Space Saving, (1) (2) (3)Small Surface Mount Package (WEMT6). 4) Low voltage drive (1.5V drive). Abbreviated symbol : XK Applications Inner circuit Switching (6) (5) (4)2 Packaging
rw1c025zp.pdf

Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFET RW1C025ZP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETWEMT6(6) (5) (4)Features1) Low On-resistance.2) Small high power package.(1) (2) (3)3) Low voltage drive.(1.5V)Abbreviated symbol : ZG ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingType Code T2CR2Ba
rw1c015un.pdf

1.5V Drive Nch MOSFET RW1C015UN Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET WEMT6(6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance. 2) High power package. Low voltage drive. (1.5V) (1) (2) (3) Abbreviated symbol : PS Applications Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping(6) (5) (4)Type Code T2RBasic ordering unit (pieces) 8000
Другие MOSFET... RV1C001ZP , RV1C002UN , RV2C001ZP , RV2C002UN , RV2C010UN , RV3C001ZP , RV3C002UN , RVQ040N05TR , RU7088R , RZE002P02TL , RZF020P01TL , RZL025P01TR , RZL035P01TR , RZM001P02 , RZQ045P01TR , RZY200P01TL , S2N7002DM .
History: RV3C001ZP | RV3C002UN | MEE4292-G | RVQ040N05TR | OSG65R070FT3F | SMIRF10N65T2TL | RZF020P01TL
History: RV3C001ZP | RV3C002UN | MEE4292-G | RVQ040N05TR | OSG65R070FT3F | SMIRF10N65T2TL | RZF020P01TL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
tip36c transistor | 2sc3320 | 2sc2078 | ac127 transistor | a42 transistor | bc547c | 2sa726 | 2sd313