Справочник MOSFET. RW1C026ZP

 

RW1C026ZP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RW1C026ZP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 290 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: WEMT6
 

 Аналог (замена) для RW1C026ZP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RW1C026ZP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2696K  rohm
rw1c026zp.pdfpdf_icon

RW1C026ZP

RW1C026ZPDatasheetPch -20V -2.5A Middle Power MOSFETlOutlinel WEMT6VDSS-20VRDS(on)(Max.) 70m ID 2.5A PD0.7W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package (WEMT6).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Haloge

 8.1. Size:224K  rohm
rw1c020un.pdfpdf_icon

RW1C026ZP

1.5V Drive Nch MOSFET RW1C020UN Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET WEMT6(6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Space Saving, (1) (2) (3)Small Surface Mount Package (WEMT6). 4) Low voltage drive (1.5V drive). Abbreviated symbol : XK Applications Inner circuit Switching (6) (5) (4)2 Packaging

 8.2. Size:1210K  rohm
rw1c025zp.pdfpdf_icon

RW1C026ZP

Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFET RW1C025ZP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETWEMT6(6) (5) (4)Features1) Low On-resistance.2) Small high power package.(1) (2) (3)3) Low voltage drive.(1.5V)Abbreviated symbol : ZG ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingType Code T2CR2Ba

 9.1. Size:224K  rohm
rw1c015un.pdfpdf_icon

RW1C026ZP

1.5V Drive Nch MOSFET RW1C015UN Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET WEMT6(6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance. 2) High power package. Low voltage drive. (1.5V) (1) (2) (3) Abbreviated symbol : PS Applications Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping(6) (5) (4)Type Code T2RBasic ordering unit (pieces) 8000

Другие MOSFET... RV1C001ZP , RV1C002UN , RV2C001ZP , RV2C002UN , RV2C010UN , RV3C001ZP , RV3C002UN , RVQ040N05TR , RU7088R , RZE002P02TL , RZF020P01TL , RZL025P01TR , RZL035P01TR , RZM001P02 , RZQ045P01TR , RZY200P01TL , S2N7002DM .

History: BRCS18N20DP | MRF148 | 25N10L-TF3-T | MME70R380PRH | IRFP440R | QS8M51 | CS12N65FA9R

 

 
Back to Top

 


 
.