SIR168DP - описание и поиск аналогов

 

SIR168DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIR168DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0044 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SIR168DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR168DP даташит

 ..1. Size:487K  vishay
sir168dp.pdfpdf_icon

SIR168DP

SiR168DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0044 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 40 30 24.5 nC 100 % Rg Tested 0.0059 at VGS = 4.5 V 40 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK SO-8 APPLICATIONS

 9.1. Size:108K  vishay
sir166dp.pdfpdf_icon

SIR168DP

New Product SiR166DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY FEATURES VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition 0.0032 at VGS = 10 V 40g 30 25 nC TrenchFET Power MOSFET 0.0040 at VGS = 4.5 V 40g 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK

 9.2. Size:306K  vishay
sir164dp.pdfpdf_icon

SIR168DP

New Product SiR164DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) Definition 0.0025 at VGS = 10 V 50 TrenchFET Gen III Power MOSFET 30 40.6 nC New MOSFET Technology Optimized for 0.0032 at VGS = 4.5 V 50 Ringing Reduction in Switching Application Powe

 9.3. Size:207K  vishay
sir164adp.pdfpdf_icon

SIR168DP

SiR164ADP www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8 Single D TrenchFET Gen IV power MOSFET D 8 100 % Rg and UIS tested D 7 D 6 Material categorization 5 for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 1 APPLICATIONS D 2 S Synchronous rectification 3 S 4 S 1 High power density DC/DC G Top

Другие MOSFET... SIJ458DP , SIJ470DP , SIJ478DP , SIJ482DP , SIJ484DP , SIJ800DP , SIR158DP , SIR166DP , IRFP460 , SIR172ADP , SIR172DP , SIR316DP , SIR330DP , SIR401DP , SIR402DP , SIR403EDP , SIR404DP .

History: CRSM053N08N | APT10045B2LL

 

 

 

 

↑ Back to Top
.