SIR402DP - аналоги и даташиты транзистора

 

SIR402DP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SIR402DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SIR402DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR402DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:321K  vishay
 sir402dp.pdf pdf_icon

SIR402DP

SiR402DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.006 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET3530 12 nC 100 % Rg Tested0.008 at VGS = 4.5 V 35 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK SO-8APPLICATIONSS

 9.1. Size:518K  vishay
 sir401dp.pdf pdf_icon

SIR402DP

New ProductSiR401DPVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 DefinitionVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0032 at VGS = - 10 V - 50 100% Rg and UIS Tested- 20 0.0042 at VGS = - 4.5 V - 50 97 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.0077 at VGS = -

 9.2. Size:86K  vishay
 sir408dp.pdf pdf_icon

SIR402DP

SiR408DPVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0063 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET50a25 9.3 nC 100 % Rg Tested0.008 at VGS = 4.5 V 50a 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK SO-8APPLICATIO

 9.3. Size:337K  vishay
 sir404dp.pdf pdf_icon

SIR402DP

New ProductSiR404DPVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.00160 at VGS = 10 V 60 TrenchFET Gen III Power MOSFET0.00175 at VGS = 4.5 V 20 60 64.5 nC 100 % Rg Tested0.00225 at VGS = 2.5 V 60 100 % UIS Tested 2.5 V and 3.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIR158DP , SIR166DP , SIR168DP , SIR172ADP , SIR172DP , SIR316DP , SIR330DP , SIR401DP , IRFP260N , SIR403EDP , SIR404DP , SIR406DP , SIR408DP , SIR410DP , SIR412DP , SIR414DP , SIR416DP .

 

 
Back to Top

 


 
.