Справочник MOSFET. SIR464DP

 

SIR464DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIR464DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0031 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SIR464DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR464DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:509K  vishay
sir464dp.pdfpdf_icon

SIR464DP

New ProductSiR464DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0031 at VGS = 10 V 50COMPLIANT 100 % Rg and UIS Tested30 26.5 nC0.0038 at VGS = 4.5 V 50APPLICATIONSPowerPAK SO-8 DC/DC Conversion- Low-Side SwitchS Notebook D

 9.1. Size:336K  vishay
sir466dp.pdfpdf_icon

SIR464DP

New ProductSiR466DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0035 at VGS = 10 V 40g 100 % Rg Tested COMPLIANT 30 21.5 nC0.0051 at VGS = 4.5 V 40g 100 % UIS TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 DC/DC Converter- Low Side SwitchS D6.

 9.2. Size:305K  vishay
sir460dp.pdfpdf_icon

SIR464DP

New ProductSiR460DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFET0.0047 at VGS = 10 V 40g 100 % Rg Tested30 16.8 nC0.0061 at VGS = 4.5 V 40g 100 % Avalanche TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 Notebook Vcore

 9.3. Size:304K  vishay
sir462dp.pdfpdf_icon

SIR464DP

SiR462DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A) TrenchFET Power MOSFET0.0079 at VGS = 10 V 100 % Rg Tested30a30 8.8 nC 100 % UIS Tested0.010 at VGS = 4.5 V 30aAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 High-Side Switch Server, VRM, POLS6.15

Другие MOSFET... SIR426DP , SIR428DP , SIR432DP , SIR436DP , SIR438DP , SIR440DP , SIR460DP , SIR462DP , IRF1010E , SIR466DP , SIR468DP , SIR470DP , SIR472ADP , SIR472DP , SIR474DP , SIR476DP , SIR484DP .

History: TPA60R150C | SIR468DP | SSW80R160SFD | MCU04N60 | AP9965GEH | 13N50L-TQ2-T | BSS84KW

 

 
Back to Top

 


 
.