Справочник MOSFET. SIR468DP

 

SIR468DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIR468DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 355 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SIR468DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR468DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:304K  vishay
sir468dp.pdfpdf_icon

SIR468DP

SiR468DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS 0.0057 at VGS = 10 V 40 100 % Rg Tested COMPLIANT 30 13.8 nC 100 % UIS Tested0.0076 at VGS = 4.5 V 40APPLICATIONSPowerPAK SO-8 Low-Side Switch Notebook DC/DCS6.15 mm 5.15 mm

 9.1. Size:336K  vishay
sir466dp.pdfpdf_icon

SIR468DP

New ProductSiR466DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0035 at VGS = 10 V 40g 100 % Rg Tested COMPLIANT 30 21.5 nC0.0051 at VGS = 4.5 V 40g 100 % UIS TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 DC/DC Converter- Low Side SwitchS D6.

 9.2. Size:305K  vishay
sir460dp.pdfpdf_icon

SIR468DP

New ProductSiR460DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFET0.0047 at VGS = 10 V 40g 100 % Rg Tested30 16.8 nC0.0061 at VGS = 4.5 V 40g 100 % Avalanche TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 Notebook Vcore

 9.3. Size:304K  vishay
sir462dp.pdfpdf_icon

SIR468DP

SiR462DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A) TrenchFET Power MOSFET0.0079 at VGS = 10 V 100 % Rg Tested30a30 8.8 nC 100 % UIS Tested0.010 at VGS = 4.5 V 30aAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 High-Side Switch Server, VRM, POLS6.15

Другие MOSFET... SIR432DP , SIR436DP , SIR438DP , SIR440DP , SIR460DP , SIR462DP , SIR464DP , SIR466DP , 5N60 , SIR470DP , SIR472ADP , SIR472DP , SIR474DP , SIR476DP , SIR484DP , SIR492DP , SIR494DP .

History: PJZ6NA90 | SSW80R160SFD | 2SK3684-01S | AP9965GEH | 13N50L-TQ2-T

 

 
Back to Top

 


 
.