SIR468DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SIR468DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 355 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm
Тип корпуса: SO-8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SIR468DP Datasheet (PDF)
sir468dp.pdf

SiR468DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS 0.0057 at VGS = 10 V 40 100 % Rg Tested COMPLIANT 30 13.8 nC 100 % UIS Tested0.0076 at VGS = 4.5 V 40APPLICATIONSPowerPAK SO-8 Low-Side Switch Notebook DC/DCS6.15 mm 5.15 mm
sir466dp.pdf

New ProductSiR466DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0035 at VGS = 10 V 40g 100 % Rg Tested COMPLIANT 30 21.5 nC0.0051 at VGS = 4.5 V 40g 100 % UIS TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 DC/DC Converter- Low Side SwitchS D6.
sir460dp.pdf

New ProductSiR460DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFET0.0047 at VGS = 10 V 40g 100 % Rg Tested30 16.8 nC0.0061 at VGS = 4.5 V 40g 100 % Avalanche TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 Notebook Vcore
sir462dp.pdf

SiR462DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A) TrenchFET Power MOSFET0.0079 at VGS = 10 V 100 % Rg Tested30a30 8.8 nC 100 % UIS Tested0.010 at VGS = 4.5 V 30aAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 High-Side Switch Server, VRM, POLS6.15
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: FRL234R | IPD25N06S2-40 | 2SK3572-Z | BF996SR | KP727V | DM12N65C-2 | STU650S
History: FRL234R | IPD25N06S2-40 | 2SK3572-Z | BF996SR | KP727V | DM12N65C-2 | STU650S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
irfp264 | ksc2690 | bc546 datasheet | mpsa06 transistor | tta004b | 2sc1116 | 2n3565 equivalent | 10n60