Справочник MOSFET. SIR804DP

 

SIR804DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIR804DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 50.8 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SIR804DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR804DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:500K  vishay
 sir804dp.pdf pdf_icon

SIR804DP

New ProductSiR804DPVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0072 at VGS = 10 V 60 TrenchFET Power MOSFET0.0078 at VGS = 7.5 V 100 60 24.8 nC 100 % Rg Tested0.0103 at VGS = 4.5 V 60 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Di

 9.1. Size:509K  vishay
 sir802dp.pdf pdf_icon

SIR804DP

New ProductSiR802DPVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.005 at VGS = 10 V 30 TrenchFET Gen III Power MOSFET0.0057 at VGS = 4.5 V 20 30 15.5 nC 100 % Rg Tested0.0076 at VGS = 2.5 V 30 100 % UIS Tested Compliant to RoH

 9.2. Size:341K  vishay
 sir800dp.pdf pdf_icon

SIR804DP

New ProductSiR800DPVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0023 at VGS = 10 V 50 TrenchFET Gen III Power MOSFET0.0026 at VGS = 4.5 V 20 50 41 nC 100 % Rg Tested0.0034 at VGS = 2.5 V 50 100 % UIS Tested Compliant to RoHS

 9.3. Size:477K  vishay
 sir808dp.pdf pdf_icon

SIR804DP

SiR808DPVishay SiliconixN-Channel 25 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition 0.0089 at VGS = 10 V 20 TrenchFET Power MOSFET25 7.5 nC0.0119 at VGS = 4.5 V Low Thermal Resistance PowerPAK 20Package with Low 1.07 mm Profile Optimized for High-Side Synchron

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIR662DP , SIR698DP , SIR770DP , SIR774DP , SIR788DP , SIR798DP , SIR800DP , SIR802DP , IRFZ24N , SIR808DP , SIR812DP , SIR818DP , SIR820DP , SIR826ADP , SIR826DP , SIR836DP , SIR838DP .

History: APTC80H29SCTG | AM1421P

 

 
Back to Top

 


 
.